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1. (WO2016110896) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/110896    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/006121
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.12.2015
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : ISHIZAKI, Junya; (JP).
FURUYA, Shogo; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-003128 09.01.2015 JP
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子及び発光素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to a light-emitting element having: a window layer and supporting substrate; and a light-emitting part which is provided on the window layer and supporting substrate and includes a second semiconductor layer of a second conductive type, an active layer, and a first semiconductor layer of a first conductive type in the stated order, the light-emitting element being characterized in that a first ohmic electrode is provided on the first semiconductor layer, at least portions of the outer surface of the first semiconductor layer and a side surface of the light-emitting part are covered with an insulating and protective film, the outer surface of the first semiconductor layer and the outer surface of the window layer and supporting substrate are roughened, the first semiconductor layer comprises a structure of at least two or more layers, and the layers at the side subjected to the roughening comprise a material having a lower A1 composition than the layers at the active layer side. Consequently, the light-emitting element is provided which restricts an etching depth required for obtaining a desired rough surface feature while maintaining a carrier confinement effect in a cladding layer and suppresses the occurrence of chip cracking during wire bonding.
(FR)La présente invention se rapporte à un élément électroluminescent comportant : une couche de fenêtre et un substrat de support ; et une partie électroluminescente qui est disposée sur la couche de fenêtre et le substrat de support et comprend une seconde couche semi-conductrice d'un second type de conductivité, une couche active et une première couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité dans l'ordre indiqué, l'élément électroluminescent étant caractérisé en ce qu'une première électrode ohmique est disposée sur la première couche semi-conductrice, au moins des parties de la surface externe de la première couche semi-conductrice et une surface latérale de la partie électroluminescente sont recouvertes d'un film isolant et de protection, la surface externe de la première couche semi-conductrice et la surface externe de la couche de fenêtre et du substrat de support sont rendues rugueuses, la première couche semi-conductrice comprend une structure d'au moins deux couches ou plus, et les couches sur le côté soumis à la rugosification comprennent un matériau ayant une composition (A1) inférieure à celle des couches côté couche active. Par conséquent, l'élément électroluminescent est disposé de sorte à limiter une profondeur de gravure requise pour obtenir une caractéristique de surface rugueuse souhaitée tout en conservant un effet de confinement de porteur de charge dans une couche de gainage et à supprimer l'apparition de fissures de la puce durant une soudure de fils.
(JA) 本発明は、窓層兼支持基板と、該窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と、活性層と、第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、前記第一半導体層上に第一オーミック電極が設けられ、前記第一半導体層の表面及び前記発光部の側面の少なくとも一部は絶縁保護膜で被覆され、前記第一半導体層の表面及び前記窓層兼支持基板の表面が粗面化され、前記第一半導体層は、少なくとも二層以上の構造からなり、粗面化処理が施された側の層が、活性層側の層に比べ、Al組成が少ない材料からなるものであることを特徴とする発光素子である。これにより、クラッド層のキャリア閉じ込め効果を維持しつつ、所望の粗面形状を得るために必要なエッチング深さを抑制し、ワイヤーボンディング時にチップ割れが生じることを抑制した発光素子が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)