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1. (WO2016110346) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA STRUCTURE STRATIFIÉE D’UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/110346    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/076080
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.11.2015
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : GEHL, Bernhard; (DE).
HARTLIEB, Andreas; (DE).
WEINZIERL, Werner; (DE).
BIEDERMANN, Kerstin; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 200 176.8 09.01.2015 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN DES SCHICHTAUFBAUS EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR PRODUCING THE LAYER STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA STRUCTURE STRATIFIÉE D’UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es werden prozesstechnisch einfache Maßnahmen zur Nivellierung der Oberfläche des Schichtaufbaus eines Halbleiterbauelements während der Herstellung des Schichtaufbaus vorgeschlagen, die auch zum Erzeugen einer Topographie mit definierten Niveauunterschieden in der Oberfläche des Schichtaufbaus genutzt werden können. Hierzu wird auf einer Siliziumschicht (1) mindestens eine erste Schicht (2) aus einem anderen Material als Silizium erzeugt und strukturiert, wobei die darunterliegende Siliziumschicht (1) im Bereich mindestens einer Öffnung (3) freigelegt wird. Daran anschließend wird selektiv auf der freigelegten Oberfläche epitaktisch Silizium aufgewachsen und dadurch eine definierte Topographie für das Erzeugen weiterer Schichten geschaffen.
(EN)The invent relates to measures for leveling the surface of the layer structure of a semiconductor component during the production of the layer structure, which measures are simple in terms of process and can also be used to produce a topography having defined level differences in the surface of the layer structure. For this purpose, at least one first layer (2) composed of a material other than silicon is produced and structured on a silicon layer (1), wherein the silicon layer (1) lying under the at least one first layer is exposed in the region of at least one opening (3). Thereafter, silicon is selectively grown epitaxially on the exposed surface and a defined topography for the production of further layers is thereby created.
(FR)L’invention concerne des mesures simples, du point de vue du processus technique, de nivellement de la surface de la structure stratifiée d’un composant à semi-conducteur pendant la production de la structure stratifiée, qui peuvent également être utilisées pour produire une topographie présentant des différences de niveau définies dans la surface de la structure stratifiée. À cet effet, au moins une première couche (2) faite d’un autre matériau que le silicium est produite et structurée sur une couche de silicium (1), la couche de silicium (1) située dessous étant mise à nu dans la zone d’au moins une ouverture (3). Ensuite, du silicium est amené à croître de manière sélective et par épitaxie sur la surface mise à nu et une topographie définie pour la production d’autres couches est ensuite créée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)