WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016110128) TUBE À EFFET DE CHAMP DE SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE À DOUBLE DIFFUSION LATÉRALE DE TYPE P ET DE TENSION ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/110128    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/089807
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 16.09.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Guangsheng; (CN).
ZHANG, Sen; (CN).
BIAN, Peng; (CN).
HU, Xiaolong; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901 No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510003131.X 05.01.2015 CN
Titre (EN) HIGH VOLTAGE P TYPE LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TUBE
(FR) TUBE À EFFET DE CHAMP DE SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE À DOUBLE DIFFUSION LATÉRALE DE TYPE P ET DE TENSION ÉLEVÉE
(ZH) 高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
Abrégé : front page image
(EN)A high voltage P type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (10) comprises a substrate (100) and also comprises a N type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (200) formed on the substrate (100) and a P type metal oxide semiconductor field effect tube (300) formed on the drain of the N type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (200). The gate of the P type metal oxide semiconductor field effect tube (300) is used as the gate of the high voltage P type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (10); the drain of the P type metal oxide semiconductor field effect tube (300) is used as the drain of the high voltage P type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (10); the source of the N type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (200) is used as the source of the high voltage P type lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect tube (10).
(FR)L'invention concerne un tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type P et de tension élevée (10) qui comprend un substrat (100) et qui comprend également un tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type N (200) formé sur le substrat (100) et un tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique de type P (300) formé sur le drain du tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type N (200). La grille du tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique de type P (300) sert de grille au tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type P et de tension élevée (10) ; le drain du tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique de type P (300) sert de drain au tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type P et de tension élevée (10) ; la source du tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type N (200) sert de source au tube à effet de champ de semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion latérale de type P et de tension élevée (10).
(ZH)一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(10),包括衬底(100),还包括形成于衬底(100)上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(200),以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(200)的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管(300);P型金属氧化物半导体场效应管(300)的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(10)的栅极;P型金属氧化物半导体场效应管(300)的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(10)的漏极;N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(200)的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(10)的源极。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)