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1. (WO2016109842) IONISATION EFFICACE D'ATOMES BASÉE SUR L'EXCITATION ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/109842    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/068358
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 31.12.2015
CIB :
G01R 31/308 (2006.01), G01R 1/20 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS [US/US]; The University of Texas System 201 W. 7th Street Austin, TX 78701 (US)
Inventeurs : RAIZEN, Mark, G.; (US)
Mandataire : AARONSON, Lawrence; (US)
Données relatives à la priorité :
62/099,220 02.01.2015 US
14/983,437 29.12.2015 US
Titre (EN) EFFICIENTLY IONIZING ATOMS BASED ON ELECTRON EXCITATION
(FR) IONISATION EFFICACE D'ATOMES BASÉE SUR L'EXCITATION ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods exposing a sample of atoms to an electromagnetic (EM) field. The EM includes one or more frequencies. The EM field is configured to promote at least a subset of the sample of atoms to one or more excited states based at least upon the one or more frequencies. The one or more excited states are low-lying, metastable states. Furthermore, the subset of the sample of atoms is ionized based at least upon the subset of the sample of atoms being at the one or more excited states.
(FR)Cette invention concerne des systèmes et des procédés qui consistent à exposer un échantillon d'atomes à un champ électromagnétique (EM). Le champ EM comprend une ou plusieurs fréquences et est conçu pour promouvoir au moins un sous-ensemble de l'échantillon d'atomes à un ou plusieurs états excités basés au moins sur ladite ou lesdites fréquences. Le ou les états excités sont des états bas, métastables. De plus, le sous-ensemble de l'échantillon d'atomes est ionisé sur la base au moins du sous-ensemble de l'échantillon d'atomes audit ou auxdits états excités.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)