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1. (WO2016109434) CAPTEUR D'HUMIDITÉ NANOSTRUCTURÉ À BASE D'OXYDE DE LANTHANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/109434    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/067685
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 28.12.2015
CIB :
G01N 27/12 (2006.01), G01N 27/07 (2006.01), G01N 27/14 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
SAMARAO, Ashwin, K. [IN/US]; (US) (US only).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US) (US only).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : SAMARAO, Ashwin, K.; (US).
O'BRIEN, Gary; (US).
FEYH, Ando; (DE)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/097,496 29.12.2014 US
Titre (EN) NANOSTRUCTURED LANTHANUM OXIDE HUMIDITY SENSOR
(FR) CAPTEUR D'HUMIDITÉ NANOSTRUCTURÉ À BASE D'OXYDE DE LANTHANE
Abrégé : front page image
(EN)A thin film gas sensor device includes a substrate, a nanostructured thin film layer, and a first and a second electrode. The nanostructured thin film layer is supported by the substrate and is formed with a semi-conductor material including holes. The semiconductor material is configured to undergo an increase in a density of the holes in the presence of a target gas, thereby decreasing an electrical resistance of the nanostructured thin film layer. The first and the second electrodes are supported by the substrate and are operably connected to the nanostructured thin film layer, such that the decrease in electrical resistance can be detected.
(FR)L'invention concerne un dispositif capteur de gaz à film mince qui comprend un substrat, une couche de film mince nanostructuré ainsi qu'une première et une seconde électrode. La couche de film mince nanostructuré est supportée par le substrat et est formée avec un matériau semi-conducteur comportant des trous. Le matériau semi-conducteur est configuré de sorte à subir une augmentation de la densité des trous en présence d'un gaz cible, ce qui permet de réduire une résistance électrique de la couche de film mince nanostructuré. Les première et seconde électrodes sont supportées par le substrat et sont raccordées de manière fonctionnelle à la couche de film mince nanostructuré de telle sorte que la diminution de la résistance électrique puisse être détectée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)