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1. (WO2016109430) CAPTEUR DE GAZ NANOSTRUCTURÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/109430    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/067678
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 28.12.2015
CIB :
G01N 27/12 (2006.01), G01N 27/07 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
SAMARAO, Ashwin, K. [IN/US]; (US) (US only).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US) (US only).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : SAMARAO, Ashwin, K.; (US).
O'BRIEN, Gary; (US).
FEYH, Ando; (DE)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/097,465 29.12.2014 US
62/097,491 29.12.2014 US
Titre (EN) NANOSTRUCTURED GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ NANOSTRUCTURÉ
Abrégé : front page image
(EN)A thin film gas sensor device includes a substrate, a first pillar, a second pillar, a nanostructured thin film layer, and a first and a second electrical contact. The first and second pillars are supported by the substrate. The nanostructured thin film layer is formed with a semi- conductor material including holes. The semiconductor material is configured to undergo a reduction in a density of the holes in the presence of a target gas, thereby increasing an electrical resistance of the nanostructured thin film layer. The first and the second electrical contacts are operably connected to the nanostructured thin film layer, such that the increase in electrical resistance can be detected.
(FR)L'invention concerne un dispositif de capteur de gaz à film mince qui comprend un substrat, une première colonne, une seconde colonne, une couche de film mince nanostructurée, et des premier et second contacts électriques. Les première et seconde colonnes sont supportées par le substrat. La couche de film mince nanostructurée est formée avec un matériau semi-conducteur comprenant des trous. Le matériau semi-conducteur est configuré pour subir une réduction de densité des trous en présence d'un gaz cible, ce qui permet d'augmenter une résistance électrique de la couche de film mince nanostructurée. Les premier et second contacts électriques sont reliés de façon fonctionnelle à la couche de film mince nanostructurée, de telle sorte que l'augmentation de résistance électrique peut être détectée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)