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1. (WO2016109118) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE DE COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/109118    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/064130
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 04.12.2015
CIB :
H01L 21/365 (2006.01)
Déposants : SNAPTRACK INC. [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : NOMURA, Kenji; (US).
HONG, John Hyunchul; (US)
Mandataire : BERGIN, Denise S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/586,282 30.12.2014 US
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS
(FR) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE DE COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE P
Abrégé : front page image
(EN)Provided herein are methods of depositing p-type metal oxide thin films by atomic layer deposition (ALD). Also provided are p-type metal oxide thin films and TFTs including p-type metal oxide channels. In some implementations, the p-type metal oxide thin films have a metal and oxygen vacancy defect density of less than 1019/cm3. The p-type metal oxide thin films may be electrically active throughout the entire thicknesses of the thin films.
(FR)La présente invention concerne des procédés de dépôt de couches minces d'oxyde métallique du type p par dépôt de couche atomique (ALD). L'invention concerne également des couches minces d'oxyde métallique du type p et des transistors à couches minces (TFT) comprenant des canaux en oxyde métallique du type p. Dans certains modes de réalisation, les couches minces d'oxyde métallique du type p présentent une densité de défauts lacunaires de métal et d'oxygène inférieure à 1019/cm3. Les couches minces d'oxyde métallique du type p peuvent être électriquement actives sur les épaisseurs entières des couches minces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)