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1. (WO2016109053) FAISCEAU D'ÉLECTRONS À HAUTE INTENSITÉ ET À FAIBLE ABERRATION POUR TUBES À RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/109053    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/061626
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 19.11.2015
CIB :
H01J 35/06 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; One River Road Schenectady, New York 12345 (US)
Inventeurs : LEMAITRE, Sergio; (US)
Mandataire : VIVENZIO, Marc; (US)
Données relatives à la priorité :
14/586,066 30.12.2014 US
Titre (EN) LOW ABERRATION, HIGH INTENSITY ELECTRON BEAM FOR X-RAY TUBES
(FR) FAISCEAU D'ÉLECTRONS À HAUTE INTENSITÉ ET À FAIBLE ABERRATION POUR TUBES À RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, a cathode (60) for an x-ray tube (12) is formed with a large area flat emitter (55). To reduce the aberrations to a minimum, the emission area (237) in the flat emitter (55) has a non-rectangular shape and focusing pads (85) arranged around the emitter (55). In an exemplary embodiment, the flat emitter (55) has a non-rectilinear polygonal shape for an emission area (237) on the emitter (55) in order to increase the emission current from the emitter (55) at standard voltage levels without the need to run the emitters (55) at a higher temperature, add additional emitters (55) to the cathode (60) and/or to coat the emitters (55) with a low work function material.
(FR)La présente invention concerne une cathode (60) pour un tube à rayons x (12) qui est pourvue d'un émetteur plat (55) de grande surface. Pour réduire au minimum les aberrations, la zone (237) d'émission dans l'émetteur plat (55) a une forme non rectangulaire et des tampons (85) de focalisation agencés autour de l'émetteur (55). Dans un mode de réalisation illustratif, l'émetteur plat (55) a une forme polygonale non rectiligne pour une zone (237) d'émission sur l'émetteur (55) afin d'augmenter le courant d'émission provenant de l'émetteur (55) à des niveaux de tension standard sans avoir à faire fonctionner les émetteurs (55) à une température plus élevée, à ajouter des émetteurs supplémentaires (55) à la cathode (60) et/ou à revêtir les émetteurs (55) d'un matériau à faible travail d'extraction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)