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1. (WO2016108770) ACCÉLÉROMÈTRE MEMS CAPACITIF À TROIS AXES SUR SUBSTRAT UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108770    N° de la demande internationale :    PCT/TR2014/000531
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 31.12.2014
CIB :
G01P 15/08 (2006.01), B81B 5/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), G01P 15/18 (2013.01)
Déposants : AYDEMIR, Akin [TR/TR]; (TR).
AKIN, Tayfun [TR/TR]; (TR)
Inventeurs : AYDEMIR, Akin; (TR).
AKIN, Tayfun; (TR)
Mandataire : YALCINER, Ugur G. (YALCINER PATENT & CONSULTING); (TR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A THREE AXIS CAPACITIVE MEMS ACCELEROMETER ON A SINGLE SUBSTRATE
(FR) ACCÉLÉROMÈTRE MEMS CAPACITIF À TROIS AXES SUR SUBSTRAT UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a three axis capacitive mems accelerometer on a single substrate. In this invention a varying gap differential capacitive sensing three-axis accelerometer using SOI on glass process is introduced. The out of plane axis accelerometer which is developed in the present invention can be used for fabrication of either a three axis accelerometer with a single proof mass or an individual single axis accelerometers on the same substrate. Additionally the out of plane axis accelerometer which is developed in the present invention, the handle layer of the SOI wafer is used as packaging layer.
(FR)L'invention concerne un accéléromètre MEMS capacitif à trois axes sur un substrat unique. Dans cette invention, un accéléromètre à trois axes capacitif différentiel à espace variable utilisant du silicium sur isolant (SOI) sur du verre est présenté. L'accéléromètre à axe hors du plan qui est mis au point dans la présente invention peut être utilisé pour la fabrication d'un accéléromètre à trois axes avec une masse étalon unique ou d'accéléromètres à axe unique individuels sur le même substrat. En outre, l'invention concerne l'accéléromètre à axe hors du plan qui est mis au point dans la présente invention, la couche de manipulation de la tranche SOI étant utilisée en tant que couche d'encapsulation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)