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1. (WO2016108693) ÉLÉMENT CHAUFFANT, DISPOSITIF LE COMPRENANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CET ÉLÉMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108693    N° de la demande internationale :    PCT/NL2015/050918
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 29.12.2015
CIB :
H05B 3/28 (2006.01), H05B 3/48 (2006.01)
Déposants : METALMEMBRANES.COM B.V. [NL/NL]; Castorweg 56 8938 BE Leeuwarden (NL)
Inventeurs : METZ, Sybrandus Jacob; (NL).
MULDER, Gerhard Hendrik; (NL).
KUIPERS, Johannes; (NL).
WOLTERS, Hans Hendrik; (NL)
Mandataire : VERDIJCK, Gerardus Johannes Cornelis; (NL)
Données relatives à la priorité :
2014079 31.12.2014 NL
Titre (EN) HEATER ELEMENT, DEVICE PROVIDED THEREWITH AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT CHAUFFANT, DISPOSITIF LE COMPRENANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CET ÉLÉMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to heater element, device provided therewith and method for manufacturing such heater element. The heater element comprises a heater of a resistance heating metal that is provided in, at or close to a fluid path configured for heating fluid, wherein the heater comprises a conductor that is provided with a porous ceramic layer. Preferably, the ceramic layer is provided on or at the conductor with plasma electrolytic oxidation. The ceramic layer has a preferred thickness in the range of 5-300 μm, preferably 10-200 μm, more preferably 50-150 μm, and most preferably the thickness is about 100 μm.
(FR)La présente invention concerne un élément chauffant, un dispositif le comprenant et un procédé de fabrication de cet élément chauffant. L'élément chauffant comprend un élément chauffant fait d'un métal de chauffage par résistance qui est placé dans un passage de fluide configuré pour chauffer un fluide ou au niveau ou à proximité de celui-ci, l'élément chauffant comprenant un conducteur qui est pourvu d'une couche de céramique poreuse. De préférence, la couche de céramique est disposée sur le conducteur ou au niveau de celui-ci par oxydation par plasma électrolytique. La couche de céramique présente une épaisseur préférée comprise dans la plage de 5 à 300 µm, de préférence de 10 à 200 µm, mieux encore de 50 à 150 µm et idéalement l'épaisseur est d'environ 100 µm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)