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1. (WO2016108592) DISPOSITIF D'ÉLECTRODE POUR UN APPAREILLAGE DE COMMUTATION ISOLÉ AU GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108592    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/014433
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 29.12.2015
CIB :
H02B 13/035 (2006.01), H01H 33/02 (2006.01)
Déposants : HYOSUNG CORPORATION [KR/KR]; (Gongdeok-dong), Mapo-daero 119 Mapo-gu Seoul 04144 (KR)
Inventeurs : SON, Jun Ho; (KR)
Mandataire : NAMCHON PATENT AND LAW FIRM; (Doryeom-dong), #406, Doryeom Bldg, 37, Saemunan-ro 5-gil Jongno-gu Seoul 03173 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0195095 31.12.2014 KR
Titre (EN) ELECTRODE DEVICE FOR GAS INSULATED SWITCHGEAR
(FR) DISPOSITIF D'ÉLECTRODE POUR UN APPAREILLAGE DE COMMUTATION ISOLÉ AU GAZ
(KO) 가스 절연 개폐기의 전극 장치
Abrégé : front page image
(EN)An electrode device for a gas insulated switchgear is disclosed. An electrode device for a gas insulated switchgear according to an embodiment of the present invention comprises: a first coating layer having a first permittivity, which is coated so as to reduce an electric field with respect to the outer surface layer of a conductor placed in a case; and a second coating layer having a second permittivity relatively lower than the first permittivity, which is formed outside the first coating layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'électrode destiné à un appareillage de commutation isolé au gaz. Un dispositif d'électrode destiné à un appareillage de commutation isolé au gaz, selon un mode de réalisation de la présente invention, comprend : une première couche de revêtement ayant une première permittivité, qui est revêtue de manière à réduire un champ électrique par rapport à la couche de surface externe d'un conducteur placé dans un boîtier ; et une seconde couche de revêtement ayant une seconde permittivité relativement inférieure à la première permittivité, qui est formée à l'extérieur de la première couche de revêtement.
(KO)가스 절연 개폐기의 전극 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 절연 개폐기의 전극 장치는 케이스 내부에 위치된 도체 외측의 표면층에 대한 전계를 완화하기 위해 제1 유전율로 코팅이 이루어진 제1 코팅층; 및 상기 제1 코팅층의 외측에 형성되고 상기 제1 유전율보다 상대적으로 낮은 제2 유전율로 코팅이 이루어진 제2 코팅층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)