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1. (WO2016108422) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE VERTICALE DOTÉE D'UN ÉLÉMENT D'ÉTALEMENT D'INTENSITÉ DE COURANT À PIQÛRE EN V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108422    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/012104
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 11.11.2015
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15609 (KR)
Inventeurs : KIM, Min Kyu; (KR).
YUN, Jun Ho; (KR).
CHO, Sung Ryoung; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0195164 31.12.2014 KR
Titre (EN) VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE WITH V-PIT CURRENT SPREADING MEMBER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE VERTICALE DOTÉE D'UN ÉLÉMENT D'ÉTALEMENT D'INTENSITÉ DE COURANT À PIQÛRE EN V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a vertical type light emitting diode and a method of fabricating the same. The vertical type light emitting diode includes: a support substrate; a p-type electrode formed on the support substrate; a p-type semiconductor layer formed on the p-type electrode; an active layer formed on the p-type semiconductor layer; an n-type semiconductor layer formed on the active layer; a nitride semiconductor layer formed on the n-type semiconductor layer and having V-pits filled with the nitride semiconductor layer; and an n-type electrode formed on the nitride semiconductor layer, wherein a plurality of protrusions formed on a growth substrate for growing the nitride semiconductor layer causes the V-pits to be formed in alignment with the plurality of protrusions, and V-pit regions have higher resistance than surrounding regions.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente verticale et son procédé de fabrication. La diode électroluminescente verticale comprend : un substrat de support ; une électrode de type p formée sur le substrat de support ; une couche semi-conductrice de type p formée sur l'électrode de type p ; une couche active formée sur la couche semi-conductrice de type p ; une couche semi-conductrice de type n formée sur la couche active ; une couche semi-conductrice de nitrure formée sur la couche semi-conductrice de type n et ayant des piqûres en V remplies avec la couche semi-conductrice de nitrure ; et une électrode de type n formée sur la couche semi-conductrice de nitrure, une pluralité de saillies formées sur un substrat de croissance pour faire croître la couche semi-conductrice de nitrure provoquant la formation des piqûres en V en alignement avec la pluralité de saillies, et les régions des piqûres en V ayant une résistance plus élevée que les régions environnantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)