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1. (WO2016108329) SUBSTRAT DE TISSU CONDUCTEUR SOUPLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/108329    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/000883
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 28.01.2015
CIB :
B32B 27/12 (2006.01), B32B 27/18 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), B32B 7/12 (2006.01)
Déposants : KOLONGLOTECH, INC. [KR/KR]; 11, Kolon-ro Gwacheon-si Gyeonggi-do 427-709 (KR)
Inventeurs : PARK, Byoung-Cheul; (KR).
PARK, Beob; (KR).
KIM, Soo-Heon; (KR)
Mandataire : WOOIN PATENT & LAW FIRM; (Yeoksam-dong, Jungpyeong Bldg.) 2Fl., 157 Yeoksam-ro, Gangnam-gu Seoul 135-925 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0193557 30.12.2014 KR
Titre (EN) FLEXIBLE CONDUCTIVE FABRIC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT DE TISSU CONDUCTEUR SOUPLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a flexible conductive fabric substrate comprising: a fabric substrate; a first thin film, which is formed on the fabric substrate, and which comprises metal or metal oxide; a second thin film, which is formed on the first thin film, and which comprises an ITO film including tin oxide; and a third thin film, which is formed on the second thin film, and which comprises an ITO film including tin oxide, wherein the content of tin oxide included in the second thin film is less than the content of tin oxide included in the third thin film.
(FR)La présente invention concerne un substrat de tissu conducteur souple comprenant : un substrat de tissu ; un premier film mince, qui est formé sur le substrat de tissu, et qui comprend un métal ou un oxyde métallique ; un deuxième film mince, qui est formé sur le premier film mince, et qui comprend un film d'ITO comprenant de l'oxyde d'étain ; et un troisième film mince, qui est formé sur le deuxième film mince, et qui comprend un film d'ITO comprenant de l'oxyde d'étain, la teneur en oxyde d'étain inclus dans le deuxième film mince étant inférieure à la teneur en oxyde d'étain inclus dans le troisième film mince.
(KO)본 발명은 패브릭 기판; 상기 패브릭 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막; 상기 제1 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2박막; 및 상기 제2 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 포함하며, 상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)