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1. (WO2016107977) PROCÉDÉ DE DOPAGE DE PLAQUETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107977    N° de la demande internationale :    PCT/FI2015/050929
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 22.12.2015
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01)
Déposants : TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY [FI/FI]; Vuorimiehentie 3 02150 Espoo (FI)
Inventeurs : KIIHAMÄKI, Jyrki; (FI)
Mandataire : IPR PARTNERS OY; Hietalahdenranta 13 00180 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
20146174 31.12.2014 FI
Titre (EN) A METHOD OF DOPING WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(EN)The invention shows a doping method that can be used for doping of wafers. The method comprises making at least one ensemble of pores into a wafer matrix to be doped, depositing a vehicle layer on the substrate area of at least one said ensemble of pores and/or their walls, to form a vehicle layer as an interfacing surface for the dopant passage by diffusion. The deposition is followed by annealing said wafer in annealing specific conditions for enhancement of diffusion of said dopant from said vehicle layer via said interfacing surface into the wafer matrix to be doped. After the diffusion enhancement by annealing, the method comprises washing the vehicle layer away, by a washing agent for removal of the deposited dopant comprising material from the wafer surface and the pores. The doped porous structure of the wafer matrix comprising the dopant is then recrystallized, in a recrystallizing environment defined by recrystallizing parameters. The surface is finished and polished.
(FR)L'invention illustre un procédé de dopage qui peut être utilisé pour le dopage de plaquettes. Le procédé consiste à réaliser au moins un ensemble de pores dans une matrice de plaquette à doper, à déposer une couche de véhicule sur la zone de substrat dudit ou desdits ensembles de pores et/ou leurs parois, pour former une couche de véhicule sous la forme d'une surface d'interfaçage pour le passage de dopant par diffusion. Le dépôt est suivi d'un recuit de ladite plaquette dans des conditions spécifiques de recuit pour l'amélioration de la diffusion dudit dopant à partir de ladite couche de véhicule par l'intermédiaire de ladite surface d'interface dans la matrice de plaquette à doper. Après l'amélioration de la diffusion par recuit, le procédé consiste à décaper la couche de véhicule, par un agent de lavage, afin de retirer le dopant déposé comprenant un matériau de la surface de la plaquette et des pores. La structure poreuse dopée de la matrice de plaquette comprenant le dopant est ensuite recristallisée, dans un environnement de recristallisation défini par des paramètres de recristallisation. La surface est finie et polie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)