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1. (WO2016107485) PROCÉDÉ DE GESTION DE MÉMOIRE CACHE DE LECTURE ET DISPOSITIF BASÉ SUR UN DISQUE STATIQUE À SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107485    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/098670
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 24.12.2015
CIB :
G06F 12/06 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventeurs : CHAI, Yunpeng; (CN).
SUN, Dongwang; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road,Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410844432.0 30.12.2014 CN
Titre (EN) READ CACHE MANAGEMENT METHOD AND DEVICE BASED ON SOLID STATE DRIVE
(FR) PROCÉDÉ DE GESTION DE MÉMOIRE CACHE DE LECTURE ET DISPOSITIF BASÉ SUR UN DISQUE STATIQUE À SEMICONDUCTEURS
(ZH) 一种基于固态硬盘的读缓存管理方法及装置
Abrégé : front page image
(EN)A read cache management method and device based on a solid state drive. The solid state drive comprises a first queue and a second queue. The method comprises: receiving a read request, and determining whether the read request hits a first queue and a second queue (S101); if the read request hits neither the first queue nor the second queue, selecting and deleting elimination data blocks in the first queue according to a cache replacement algorithm (S102); if the elimination data blocks are in a stored state, inserting the elimination data blocks into the second queue (S103); and determining target data blocks, corresponding to the read request, from a lower-level storage medium, and inserting the target data blocks into the first queue, the target data blocks being in an unstored state (S104). The read cache management method and management device based on a solid state drive can improve a hit rate of the solid state drive, reduce the data writing amount of the solid state drive, and prolong the service life of the solid state drive.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gestion de mémoire cache de lecture et un dispositif basé sur un disque statique à semiconducteurs. Le disque statique à semiconducteurs comprend une première file d'attente et une seconde file d'attente. Le procédé comprend : la réception d'une requête de lecture et la détermination si oui ou non la requête de lecture atteint une première file d'attente et une seconde file d'attente (S101) ; si la requête de lecture n'atteint ni la première file d'attente ni la seconde file d'attente, la sélection et la suppression des blocs de données d'élimination dans la première file d'attente selon un algorithme de remplacement de mémoire cache (S102) ; si les blocs de données d'élimination sont dans un état mémorisé, l'insertion des blocs de données d'élimination dans la seconde file d'attente (S103) ; et la détermination de blocs de données cibles, correspondant à la requête de lecture, à partir d'un support d’informations de niveau inférieur et l'insertion des blocs de données cibles dans la première file d'attente, les blocs de données cibles étant dans un état non mémorisé (S104). Le procédé de gestion de la mémoire cache de lecture et le dispositif de gestion basés sur un disque statique à semiconducteurs peuvent améliorer le taux de consultation du disque statique à seamiconducteurs, réduire la quantité d'écriture de données du disque statique à semiconducteurs et prolonger la durée de vie du disque statique à semiconducteurs.
(ZH)一种基于固态硬盘的读缓存管理方法及装置,固态硬盘中包括第一队列和第二队列,所述方法包括:接收读请求,并判断所述读请求是否命中所述第一队列和所述第二队列(S101);若二者均未命中,根据缓存替换算法选择并删除所述第一队列中的淘汰数据块(S102);若所述淘汰数据块为已存储状态,将所述淘汰数据块插入所述第二队列中(S103);从下级存储介质中确定所述读请求对应的目标数据块,将所述目标数据块插入所述第一队列中,其中,所述目标数据块为未存储状态(S104)。上述基于固态硬盘的读缓存管理方法和管理装置能提高固态硬盘的命中率,减少固态硬盘的数据写入量和延长固态硬盘的使用寿命。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)