WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016107406) LIQUIDE DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉ D'APPLICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107406    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/097542
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 16.12.2015
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), C09G 1/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; 1st-3rd Floor, Building E, No.889, Bibo Road, Zhangjiang Hi-tech Park, Pudong New Area Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : CHEN, Baoming; (CN).
GAO, Yuan; (CN).
JING, Jianfen; (CN).
YAO, Ying; (CN).
PAN, Yijun; (CN).
QIU, Tengfei; (CN).
WANG, Chunmei; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1506-07, New Huangpu Financial Building, No. 61 East Nanjing Road, Huangpu Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410856725.0 29.12.2014 CN
Titre (EN) CHEMICALLY MECHANICAL POLISHING LIQUID AND APPLICATION THEREOF
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉ D'APPLICATION ASSOCIÉ
(ZH) 一种化学机械抛光液及其应用
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a chemically mechanical polishing liquid and an application thereof. The polishing liquid comprises grinding particles, an amino silane reagent, and water. The present invention is applicable to polishing of a blocking layer in a through silicon via (TSV) process, and may be further used to integrate polishing of a blocking layer in an integrated circuit copper interconnection process, polishing of a silicon dioxide interlayer dielectric, and polishing of a shallow slot isolation layer, and has a high blocking layer removal rate and high planarization efficiency in mild conditions. The polishing liquid can be used to prepare a high enriched product, can effectively reduce costs, and is convenient to store and transport.
(FR)La présente invention concerne un liquide de polissage mécano-chimique et une application de celui-ci. Le liquide de polissage comprend des particules de meulage, un réactif amino silane et de l'eau. La présente invention est applicable au polissage d'une couche de blocage dans un procédé d'interconnexion verticale (TSV) et peut en outre être utilisée pour intégrer le polissage d'une zone d'appauvrissement dans un procédé d'interconnexion en cuivre de circuit intégré, le polissage d'une couche intermédiaire de dioxyde de silicium diélectrique et le polissage d'une couche peu profonde d'isolation, et présente un haut débit d'élimination de zone d'appauvrissement et une haute efficacité de planarisation dans des conditions douces. Le liquide de polissage peut être utilisé pour préparer un produit très enrichi, peut efficacement réduire les coûts et est pratique à stocker et à transporter.
(ZH)本发明涉及一种化学机械抛光液及其应用,该抛光液含有研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明适合于硅通孔(TSV)工艺中阻挡层的抛光,还可用于集成电路铜互连制程中的阻挡层抛光、二氧化硅层间介质抛光和浅槽隔离层抛光,在较温和的条件下具有高的阻挡层去除速率,较高的平坦化效率。抛光液可制备高浓缩的产品,不但可以有效降低成本,还便于储存和运输。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)