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1. (WO2016107295) PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN FILM SUR UNE PLAQUE DE DORURE SANS PLOMB
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107295    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/094366
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 12.11.2015
CIB :
H05K 3/00 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
Déposants : GUANGZHOU FASTPRINT CIRCUIT TECH CO., LTD. [CN/CN]; No.33, Guangpuzhong Rd., Science City High-tech Industrial Development District Guangzhou, Guangdong 510663 (CN).
SHENZHEN FASTPRINT CIRCUIT TECH CO., LTD. [CN/CN]; 3F, Section 1, Industrial Building No. 25 Science & Technology Park Shennan Rd., Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518054 (CN).
YIXING SILICON VALLEY ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Zhuqiao Rd., Economic Development District Yixing, Jiangsu 214200 (CN)
Inventeurs : XIE, Tianhua; (CN).
LU, Rufeng; (CN).
LI, Zhidong; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410857417.X 31.12.2014 CN
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING FILM ON LEADLESS GILT PLATE
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT D'UN FILM SUR UNE PLAQUE DE DORURE SANS PLOMB
(ZH) 一种无引线镀金板退膜方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for removing a film on a leadless gilt plate comprises: electrolessly plating copper on a circuit board after circuit manufacturing is performed; after an anti-etching dry film pretreatment is performed, attaching an anti-etching dry film to an anti-etching position on a surface layer of an anti-etching electroless plating copper; when the anti-etching dry film is exposed, reducing an exposure energy, and performing a first development and a first flash rusting; attaching an anti-gild dry film to an anti-gild position on the circuit board; when the anti-gild dry film is exposed, opening a window above a through hole in the circuit board; after the second development is performed, electrically plating gold on the circuit board; removing the film on the circuit board and performing a second flash rusting. By reducing the exposure energy when the anti-etching dry film (ER) is exposed, the production efficiency of the ER exposure is improved, and the production time is shortened by 30%. The design of opening a window above the through hole completely resolves a problem that film removal cannot be performed completely on a TLP micro-through hole product, and thereby greatly improving the production efficiency and the product defect-free rate. The method is suitable for all through hole circuit boards of the TLP procedure.
(FR)L'invention concerne un procédé de retrait d'un film sur une plaque de dorure sans plomb, qui comprend les étapes consistant à : effectuer un dépôt autocatalytique de cuivre sur une carte de circuit après la réalisation de la fabrication du circuit ; après la réalisation d'un pré-traitement de film sec anti-gravure, fixer un film sec anti-gravure sur une position anti-gravure sur une couche de surface d'un cuivre de dépôt autocatalytique anti-gravure ; lorsque le film sec anti-gravure est exposé, réduire une énergie d'exposition, puis réaliser un premier développement et un premier enrouillement instantané ; fixer un film sec anti-dorure sur une position anti-dorure sur la carte de circuit ; lorsque le film sec anti-dorure est exposé, ouvrir une fenêtre au-dessus d'un trou traversant dans la carte de circuit ; après la réalisation du second développement, déposer électriquement de l'or sur la carte de circuit ; retirer le film sur la carte de circuit et réaliser un second enrouillement instantané. En réduisant l'énergie d'exposition lorsque le film sec anti-gravure (ER) est exposé, l'efficacité de production de l'exposition ER est améliorée et le temps de production est réduit de 30 %. La conception d'ouverture d'une fenêtre au-dessus du trou traversant résout complètement le problème selon lequel le retrait du film ne peut pas être réalisé totalement sur un produit à micro-trou traversant TLP et améliore considérablement l'efficacité de production et le taux de produits non défectueux. Le procédé est adapté à toutes les cartes de circuit à trou traversant de la procédure TLP.
(ZH)一种无引线镀金板退膜方法,包括:将进行线路制作后的线路板沉铜;进行抗蚀刻干膜前处理后,并在对应抗蚀刻沉铜表层部位贴附抗蚀干膜;在抗蚀刻干膜曝光时,降低曝光能量,并进行第一次显影和闪蚀;将所述线路板中相应抗镀金的部位贴附抗镀金干膜;当进行抗镀金干膜曝光时,在所述线路板中通孔的上方开窗;进行第二次显影后,将所述线路板电镀金;将所述线路板退膜并进行第二次闪蚀。通过降低抗蚀刻干膜(ER)曝光时的曝光能量,提升ER曝光的生产效率,使生产时间缩短30%,通过在通孔处开窗设计彻底解决了(无引线镀金技术)TLP微通孔产品的退膜不尽,大大提升了生产效率和产品良率,适用于所有TLP流程的通孔线路板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)