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1. (WO2016107099) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET STRUCTURE DE CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/107099    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/081891
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 19.06.2015
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Xiaolin; (CN).
YAO, Xing; (CN).
UM, Yoonsung; (CN).
HAN, Seungwoo; (CN).
IM, Yunsik; (CN)
Mandataire : DRAGON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 10F, Bldg. 2, Maples International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410855068.8 31.12.2014 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND CIRCUIT STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET STRUCTURE DE CIRCUIT
(ZH) 一种薄膜晶体管及电路结构
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a thin film transistor and a circuit structure. The thin film transistor comprises a gate, a semiconductor layer (101), an etching stop layer, a source electrode (102) and a drain electrode (103), wherein the source electrode and the drain electrode are connected to the semiconductor layer. The thin film transistor further comprises a stopping structure (104) arranged on the etching stop layer. The stopping structure is electrically isolated from the source electrode and the drain electrode, and the orthographic projection of the stopping structure on the etching stop layer and the orthographic projection of the semiconductor layer on the etching stop layer at least partially overlap. Therefore, the drifting characteristic of the threshold voltage of the thin film transistor is improved.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces et une structure de circuit. Le transistor à couches minces comprend une grille, une couche semi-conductrice (101), une couche d'arrêt de gravure, une électrode de source (102) et une électrode déversoir (103), l'électrode de source et l'électrode déversoir étant connectées à la couche semi-conductrice. Le transistor à couches minces comprend en outre une structure d'arrêt (104) agencée sur la couche d'arrêt de gravure. La structure d'arrêt est électriquement isolée de l'électrode de source et de l'électrode déversoir, et la projection orthographique de la structure d'arrêt sur la couche d'arrêt de gravure, ainsi que la projection orthographique de la couche semi-conductrice sur la couche d'arrêt de gravure se chevauchent au moins partiellement. Par conséquent, la caractéristique de dérive de la tension de seuil du transistor à couches minces est améliorée.
(ZH)公开了一种薄膜晶体管及电路结构。薄膜晶体管,包括:栅极、半导体层(101)、刻蚀阻挡层以及和半导体层连接的源电极(102)和漏电极(103),薄膜晶体管还包括:设置于刻蚀阻挡层上的阻挡结构(104);阻挡结构与源电极、漏电极电隔离,且阻挡结构在刻蚀阻挡层上的正投影和半导体层在刻蚀阻挡层上的正投影至少部分重叠。改善了薄膜晶体管的阈值电压的漂移特性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)