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1. (WO2016106935) CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DESTINÉ À CE CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106935    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/071990
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 30.01.2015
CIB :
G06F 3/06 (2006.01)
Déposants : GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) INC. [CN/CN]; Suite 01-15, A12, Tiangong Building Xueyuan Road No. 30, Haidian District Beijing 100083 (CN)
Inventeurs : LI, Baokui; (CN).
WANG, Jinghua; (CN).
WANG, Nanfei; (CN)
Mandataire : BEIJING RISEHIGH INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 702, Shenzhou Building No.31 South Street, Zhongguancun, Hai Dian District Beijing 100081 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410851175.3 30.12.2014 CN
Titre (EN) FLASH MEMORY CONTROLLER AND CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY CONTROLLER
(FR) CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DESTINÉ À CE CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE FLASH
(ZH) 一种闪存控制器和闪存控制器的控制方法
Abrégé : front page image
(EN)A flash memory controller and a control method for the flash memory controller. The flash memory controller comprises a command bus interface, a data bus interface, a configuration register, an erase access filter module, a read/write access filter module and a flash memory control module. The read/write access filter module is configured to receive control information; when a read/write access is received from the command bus interface or the data bus interface, whether the read/write access is conveyed to the flash memory control module or not is determined according to the control information; the erase access filter module is configured to receive control information; when an erase access is received from the configuration register, whether the erase access is conveyed to the flash memory control module or not is determined according to the control information; the flash memory control module is configured to complete an access for a flash memory according to the read/write access or the erase access. The present application is used to protect programs from being stolen by a client, and also protect against a situation wherein companies collaboratively developing a program are able to steal programs from one another.
(FR)L'invention concerne un contrôleur de mémoire flash et un procédé de commande destiné à ce contrôleur de mémoire flash. Le contrôleur de mémoire flash comprend une interface bus d'instructions, une interface bus de données, un registre de configuration, un module filtre d'accès en effacement, un module filtre d'accès en lecture/écriture et un module de commande de mémoire flash. Le module filtre d'accès en lecture/écriture est conçu pour recevoir des informations de commande. Lorsqu'un accès en lecture/écriture est reçu en provenance de l'interface bus d'instructions ou de l'interface bus de données, il est déterminé selon les informations de commande si l'accès en lecture/écriture est acheminé jusqu'au module de commande de mémoire flash. Le module filtre d'accès en effacement est prévu pour recevoir des informations de commande. Lorsqu'un accès en effacement est reçu en provenance du registre de configuration, il est déterminé selon les informations de commande si l'accès en effacement est acheminé jusqu'au module de commande de mémoire flash. Le module de commande de mémoire flash sert à exécuter un accès à la mémoire flash conformément à l'accès en lecture/écriture ou à l'accès en effacement. La présente invention permet de protéger des programmes du vol par un client, et d'éviter également que des sociétés qui développent un programme en collaboration puissent voler mutuellement leurs programmes.
(ZH)一种闪存控制器和闪存控制器的控制方法,所述闪存控制器包括指令总线接口、数据总线接口、配置寄存器、擦除访问过滤模块、读写访问过滤模块和闪存控制模块;读写访问过滤模块,配置为接收控制信息;当接收到来自指令总线接口或数据总线接口的读写访问时,根据所述控制信息判断是否将所述读写访问传送给闪存控制模块;擦除访问过滤模块,配置为接收控制信息;当接收到来自配置寄存器的擦除访问时,根据所述控制信息判断是否将所述擦除访问传送给闪存控制模块;闪存控制模块,配置为根据所述读写访问或擦除访问完成针对闪存的访问。本申请用以保护程序不被客户窃取,同时保护合作开发程序的公司不能相互窃取对方的程序。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)