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1. WO2016106923 - UNITÉ DE PIXELS À TRANSISTOR EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2016/106923
Date de publication 07.07.2016
N° de la demande internationale PCT/CN2015/071708
Date du dépôt international 28.01.2015
CIB
H01L 21/77 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
G02F 1/1333 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333Dispositions relatives à la structure
CPC
G02F 1/1333
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
G02F 1/13625
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
13625Patterning using multi-mask exposure
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/0217
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
0217the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02592
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02592amorphous
Déposants
  • 深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨祖有 YANG, Zuyou
Mandataires
  • 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.
Données relatives à la priorité
201410856610.131.12.2014CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) LTPS TFT PIXEL UNIT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) UNITÉ DE PIXELS À TRANSISTOR EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种LTPS TFT像素单元及其制造方法
Abrégé
(EN)
An LTPS TFT pixel unit and a manufacturing method therefor. The method comprises the steps of: providing a substrate (11), and forming a buffer layer (12) on the substrate (11); and forming a semiconductor pattern layer (13) and a first insulation layer (142) on the buffer layer (12), wherein the semiconductor pattern layer (13) and the first insulation layer (142) are arranged on the same layer, and the semiconductor pattern layer (13) has the same height as that of the first insulation layer (142). In this way, the lateral effect of an LTPS TFT pixel unit can be reduced, and the electrical property thereof can be improved.
(FR)
Cette invention concerne une unité de pixels à transistor en couches minces au silicium polycristallin basse température (TFT LTPS) et son procédé de fabrication Ledit procédé comprend les étapes consistant à : fournir un substrat (11), et former une couche tampon (12) sur le substrat (11) ; et former une couche de tracé semi-conducteur (13) et une première couche d'isolation (142) sur la couche tampon (12). Ladite couche de tracé semi-conducteur (13) et la première couche d'isolation (142) sont agencées sur la même couche, et la couche de tracé semi-conducteur (13) présente une hauteur identique à celle de la première couche d'isolation (142). De cette manière, l'effet latéral d'une unité de pixels TFT LTPS peut être réduit, et la propriété électrique de celle-ci peut être améliorée.
(ZH)
一种LTPS TFT像素单元及其制造方法。该方法包括以下步骤:提供一基板(11),并在基板(11)上形成一缓冲层(12);在缓冲层(12)上形成半导体图案层(13)和第一绝缘层(142),半导体图案层(13)与第一绝缘层(142)同层设置且半导体图案层(13)的高度和第一绝缘层(142)的高度相等。通过上述方式,可以减小LTPS TFT像素单元的侧效应,并可以提高其电性。
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