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1. (WO2016106897) TRANSISTOR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106897    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/071196
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : SHI, Longqiang; (CN).
ZENG, Zhiyuan; (CN).
LI, Wenhui; (CN).
SU, Zhiyu; (CN).
LV, Xiaowen; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO.. LTD; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410843119.5 30.12.2014 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) TRANSISTOR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin film transistor and a method for preparing same. A thin film transistor (100) comprises: a substrate (110); a first semiconductor layer (120), an etching blocking layer (130) and a second semiconductor layer (140) which are successively provided on the surface of the substrate (110) in a stack, wherein a first through hole (131) and a second through hole (132) are provided on the etching blocking layer (130); a source electrode (150) and a drain electrode (160), wherein the source electrode (150) and the drain electrode (160) are provided on the second semiconductor layer (140) at intervals and are provided respectively corresponding to two ends of the second semiconductor layer (140), and the source electrode (150) and the drain electrode (160) are respectively connected to the first semiconductor layer (120) via the first through hole (131) and the second through hole (132); gate insulation layers (170), wherein the gate insulation layers (170) are provided on the source electrode (150) and the drain electrode (160) in a stack; and gates (180), wherein the gates (180) are provided on the gate insulation layers (170) in a stack. The thin film transistor and the thin film transistor prepared by means of the method for preparing same have a relatively large ON state current and a relatively fast switching speed.
(FR)La présente invention concerne un transistor à film mince et son procédé de préparation. Un transistor à film mince (100) comprend : un substrat (110) ; une première couche semi-conductrice (120), une couche de blocage de gravure (130) et une seconde couche semi-conductrice (140) empilées successivement sur la surface du substrat (110), des premier (131) et second (132) trous traversants étant formés dans la couche de blocage de gravure (130) ; une électrode de source (150) et une électrode de drain (160) situées sur la seconde couche semi-conductrice (140) à certains intervalles, disposées respectivement en correspondance avec deux extrémités de la seconde couche semi-conductrice (140) et raccordées respectivement à la première couche semi-conductrice (120) par l'intermédiaire des premier (131) et second (132) trous traversants ; des couches d'isolation de grilles (170) empilées sur l'électrode de source (150) et l'électrode de drain (160) ; et des grilles (180) empilées sur les couches d'isolation de grilles (170). Le transistor à film mince et le transistor à film mince préparé selon ledit procédé de préparation présentent un courant à l'état passant relativement élevé et une vitesse de commutation relativement rapide.
(ZH)提供一种薄膜晶体管及所述薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管(100)包括:基板(110);依次层叠设置在基板(110)的表面上的第一半导体层(120)、蚀刻阻挡层(130)及第二半导体层(140),蚀刻阻挡层(130)上设有第一贯孔(131)和第二贯孔(132);源极(150)和漏极(160),源极(150)和漏极(160)间隔设置在第二半导体层(140)上且分别对应第二半导体层(140)的两端设置,源极(150)和漏极(160)分别通过第一贯孔(131)和第二贯孔(132)与第一半导体层(120)相连;栅极绝缘层(170),栅极绝缘层(170)层叠设置在源极(150)和漏极(160)上;及栅极(180),栅极(180)层叠设置在栅极绝缘层(170)上。薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法制备出的薄膜晶体管具有较大的开态电流及较快的开关速度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)