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1. (WO2016106876) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106876    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/070964
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 19.01.2015
CIB :
G02F 1/1333 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Road Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : DU, Haibo; (CN).
SHEN, Zhiyuan; (CN).
MING, Xing; (CN).
ZHAN, Wei; (CN).
YU, Xiaojiang; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Wu Dajian/Liu Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410856155.5 31.12.2014 CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film transistor array substrate, a manufacturing method therefor, and a display device. The method comprises: forming a drain electrode (21) and a source electrode (22); forming a planarization layer (3) having a groove (31); forming a touch-control metal layer (41) having the upper surface thereof flush with the upper surface of the planarization layer; and, forming a first insulating layer (5), a common electrode layer (6), a second insulating layer (7), and a pixel electrode layer (8). This effectively improves the surface ruggedness of the thin-film transistor array substrate, increases the adhesiveness between a PI film and the array substrate, and increases the display performance of the display device.
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice de transistors à couches minces, un procédé de fabrication pour celui-ci, et un dispositif d'affichage. Le procédé comprend les étapes suivantes : former une électrode de drain (21) et une électrode de source (22) ; former une couche de planarisation (3) ayant une rainure (31) ; former une couche métallique de commande tactile (41) dont la surface supérieure est à niveau avec la surface supérieure de la couche de planarisation ; et former une première couche isolante (5), une couche d'électrode commune (6), une deuxième couche isolante (7), et une couche d'électrode de pixel (8). Cela améliore efficacement la rugosité de surface du substrat de matrice de transistors à couches minces, augmente l'adhésivité entre un film PI et le substrat de matrice, et augmente la performance d'affichage du dispositif d'affichage.
(ZH)一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置,方法包括形成漏极(21)和源极(22);形成具有凹槽(31)的平坦化层(3);形成上表面与平坦化层的上表面平齐的触控金属层(41);形成第一绝缘层(5)、公共电极层(6)、第二绝缘层(7)和像素电极层(8)。有效地改善了薄膜晶体管阵列基板的表面凹凸程度,增加了PI膜与阵列基板间的黏附性,提高了显示装置的显示性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)