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1. (WO2016106805) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106805    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/070351
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : TANG, Yuejun; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO.. LTD; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410853562.0 30.12.2014 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 一种薄膜晶体管、陈列基板及显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor (100), comprising a gate electrode (10), a first and second source electrodes (11, 12), a first and second drain electrodes (13, 14), a first and second semiconductor layers (15, 16), and a first and second insulation layers (17, 18); the gate electrode (10) comprises opposite first and second surfaces (101, 102); the first insulation layer (17) is formed on the first surface (101) and covers the first surface (101); the first semiconductor layer (15) is formed on the first insulation layer (17); the first drain electrode (13) and the first source electrode (11) are formed with an interval therebetween on the first semiconductor layer (15); the second insulation layer (18) is formed on the second surface (102) and covers the second surface (102); the second semiconductor layer (16) is formed on the second insulation layer (18); the second drain electrode (14) and the second source electrode (12) are formed with an interval therebetween on the second semiconductor layer (16). The aperture ratio of a display device (500) of an applied thin film transistor (100) is improved. Additionally, further provided are array substrates (200, 300, 400) and a display device (500).
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces (100), comprenant une électrode de grille (10), une première et une seconde électrode de source (11, 12), une première et une seconde électrode de drain (13, 14), une première et une seconde couche semi-conductrice (15, 16), et une première et une seconde couche d'isolation (17, 18) ; l'électrode de grille (10) comprend des première et seconde surfaces (101, 102) opposées ; la première couche d'isolation (17) est formée sur la première surface (101) et recouvre la première surface (101) ; la première couche semi-conductrice (15) est formée sur la première couche d'isolation (17) ; la première électrode de drain (13) et la première électrode de source (11) sont formées avec un intervalle entre elles sur la première couche semi-conductrice (15) ; la seconde couche d'isolation (18) est formée sur la seconde surface (102) et recouvre la seconde surface (102) ; la seconde couche semi-conductrice (16) est formée sur la seconde couche d'isolation (18) ; la seconde électrode de drain (14) et la seconde électrode de source (12) sont formées avec un intervalle entre elles sur la seconde couche semi-conductrice (16). Le rapport d'ouverture d'un dispositif d'affichage (500) d'un transistor à couches minces (100) appliqué est amélioré. De plus, l'invention concerne en outre des substrats de réseau (200, 300, 400) et un dispositif d'affichage (500).
(ZH)一种薄膜晶体管(100),包括栅极(10)、第一及第二源极(11,12)、第一及第二漏极(13,14)、第一及第二半导体层(15,16)、及第一及第二绝缘层(17,18),栅极(10)包括相对设置的第一及第二表面(101,102),第一绝缘层(17)形成于第一表面(101)上,并覆盖第一表面(101),第一半导体层(15)形成于第一绝缘层(17)上,第一漏极(13)及第一源极(11)间隔地形成在第一半导体层(15)上,第二绝缘层(18)形成于第二表面(102)上,并覆盖第二表面(102),第二半导体层(16)形成于所述第二绝缘层(18)上,第二漏极(14)及第二源极(12)间隔地形成在第二半导体层(16)上。提高了应用薄膜晶体管(100)的显示装置(500)的开口率。此外,还提供了阵列基板(200,300,400)及显示装置(500)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)