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1. (WO2016106786) SUBSTRAT EN POLYSILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106786    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/070103
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 05.01.2015
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : TANG, Lijuan; (CN)
Mandataire : CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; Room A806, Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No.8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410850901.X 30.12.2014 CN
Titre (EN) POLYSILICON SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) SUBSTRAT EN POLYSILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 多晶硅基板及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A polysilicon substrate and manufacturing method thereof, the method comprising: providing a substrate (11); sequentially forming an amorphous silicon layer (12), an insulating layer (13) and a metal catalyst layer (14) on the substrate; performing primary annealing on the substrate so as to enable a metal ion in the metal catalyst layer to diffuse downward to the amorphous silicon layer through the insulating layer, and inducing primary crystallization of amorphous silicon in the amorphous silicon layer; removing the insulating layer and the metal catalyst layer; and performing secondary annealing on the substrate so as to enable the metal ion to laterally diffuse along the amorphous silicon layer, inducing secondary crystallization of the amorphous silicon in the amorphous silicon layer , and forming a polysilicon layer. The above method reduces metal catalyst residue during formation of the polysilicon layer, and reduces current leakage of a semiconductor layer in a thin film transistor, thus improving performance of the thin film transistor.
(FR)La présente invention porte sur un substrat en polysilicium et sur son procédé de fabrication, le procédé consistant : à utiliser un substrat (11) ; à former séquentiellement une couche de silicium amorphe (12), une couche isolante (13) et une couche de catalyseur métallique (14) sur le substrat ; à effectuer un recuit primaire sur le substrat de manière à permettre à des ions métalliques dans la couche de catalyseur métallique de se diffuser vers le bas jusqu'à la couche de silicium amorphe à travers la couche isolante, et à induire une cristallisation primaire du silicium amorphe dans la couche de silicium amorphe ; à éliminer la couche isolante et la couche de catalyseur métallique ; à effectuer un recuit secondaire sur le substrat de manière à permettre aux ions métalliques de se diffuser latéralement le long de la couche de silicium amorphe, à induire une cristallisation secondaire du silicium amorphe dans la couche de silicium amorphe, et à former une couche de polysilicium. Le procédé décrit ci-dessus réduit un résidu de catalyseur métallique pendant la formation de la couche de polysilicium, et réduit la fuite de courant d'une couche de semi-conducteur dans un transistor à couches minces, améliorant ainsi le fonctionnement du transistor à couches minces.
(ZH)一种多晶硅基板及其制造方法。方法包括:提供一基板(11);在基板上依次形成非晶硅层(12)、绝缘层(13)以及金属催化剂层(14);对基板进行一次退火,以使金属催化剂层中的金属离子经绝缘层向下扩展至非晶硅层,进而诱导非晶硅层中的非晶硅进行一次结晶;移除绝缘层以及金属催化剂层;对基板进行二次退火,以使金属离子沿非晶硅层进行侧向扩散,进而诱导非晶硅层中的非晶硅进行二次结晶,并形成多晶硅层。通过上述方式,可以在形成多晶硅层时减少金属催化剂残留现象,降低薄膜晶体管中半导体层的漏电流,从而提高薄膜晶体管的性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)