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1. (WO2016106514) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELUI-CI ET APPLICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/106514    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/095376
Date de publication : 07.07.2016 Date de dépôt international : 29.12.2014
CIB :
H01L 35/16 (2006.01)
Déposants : FUJIAN INSTITUTE OF RESEARCH ON THE STRUCTURE OF MATTER, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 155 Yangqiao Road West, Gulou Fuzhou, Fujian 350002 (CN)
Inventeurs : WU, Liming; (CN).
LIN, Hua; (CN).
CHEN, Ling; (CN)
Mandataire : BEIJING UNI-INTEL PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 1105, Zhongkun Plaza No. 59 Gaoliangqiao Xiejie, Haidian Beijing 100044 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THERMOELECTRIC MATERIAL, AND PREPARATION METHOD THEREFOR AND APPLICATION THEREOF
(FR) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELUI-CI ET APPLICATION DE CELUI-CI
(ZH) 一种热电材料、其制备方法及应用
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thermoelectric material, characterized by comprising a CsAg5Te3 crystalline material. The thermoelectric material of 700K has an optimum thermoelectric optimal value ZT as high as 1.6, has high stability and can be recycled. Also disclosed is a preparation method for a CsAg5Te3 crystalline material, comprising using Cs, Ag and Te as raw materials, and synthesizing the CsAg5Te3 crystalline material through one step by using a high-temperature solid-state method, so that the high-purity product is obtained while the synthesis time is greatly shortened.
(FR)L'invention concerne un matériau thermoélectrique, caractérisé en ce qu'il comprend un matériau cristallin CsAg5Te3. Le matériau thermoélectrique de 700 K possède une valeur optimale thermoélectrique optimale ZT aussi élevée que 1,6, présente une stabilité élevée et peut être recyclé. L'invention concerne également un procédé de préparation pour un matériau cristallin CsAg5Te3, comprenant l'utilisation de Cs, d'Ag et de Te en tant que matières premières, et la synthétisation du matériau cristallin CsAg5Te3 par le biais d'une étape en utilisant un procédé à l'état solide à haute température, de manière à obtenir le produit de grande pureté tout en réduisant fortement le temps de synthèse.
(ZH)公开了一种热电材料,其特征在于,含有CsAg 5Te 3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6,并且具有较高稳定性,可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg 5Te 3晶体材料的制备方法,以Cs、Ag、Te为原料,采用高温固相法,一步合成CsAg 5Te 3晶体材料,在大幅缩短合成时间的同时,得到高纯度的产品。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)