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1. WO2016105537 - FILMS MINCES DE PÉROVSKITE CRISTALLINE ET DISPOSITIFS COMPRENANT CES FILMS

Numéro de publication WO/2016/105537
Date de publication 30.06.2016
N° de la demande internationale PCT/US2015/000316
Date du dépôt international 23.12.2015
CIB
H01L 51/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
46Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
48Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
CPC
H01L 51/0003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
H01L 51/0026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0026Thermal treatment of the active layer, e.g. annealing
H01L 51/0037
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
0037Polyethylene dioxythiophene [PEDOT] and derivatives
H01L 51/004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
004comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC, PTFE
H01L 51/0047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0046Fullerenes, e.g. C60, C70
0047comprising substituents, e.g. PCBM
H01L 51/009
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
009Polynuclear complexes, i.e. complexes having two or more metal centers
Déposants
  • LOS ALAMOS NATIONAL SECURITY, LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • MOHITE, Aditya
  • GUPTA, Gautam
  • WANG, Hsing-Lin
  • NIE, Wanyi
Mandataires
  • HASHIMOTO, Takashi
Données relatives à la priorité
62/096,37523.12.2014US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CRYSTALLINE PEROVSKITE THIN FILMS AND DEVICES THAT INCLUDE THE FILMS
(FR) FILMS MINCES DE PÉROVSKITE CRISTALLINE ET DISPOSITIFS COMPRENANT CES FILMS
Abrégé
(EN)
Hybrid organic-inorganic perovskite thin films with average grain sizes of at least 50 micrometers were prepared and employed in solar cells. The PCE values of the solar cells did not degrade with the direction or the scan-rate of the applied voltage. The larger average grain sizes are believed to assist in reducing the influence of defect states on carrier recombination. The tunability of PCE with substrate temperature may be correlated to the quality of the crystalline perovskite formed using the hot-casting procedure. The larger average grain sizes lead to good crystalline quality, low defect density, and high carrier mobility. The process for growing hybrid organic-inorganic perovskites may be applicable to the preparation of other materials to overcome problems related to polydispersity, defect formation, and grain boundary recombination.
(FR)
Des films minces de pérovskite hybride organique-inorganique avec des tailles de grain moyennes d'au moins 50 micromètres ont été préparés et utilisés dans des cellules solaires. Les valeurs PCE des cellules solaires ne se sont pas dégradées avec la direction ou la vitesse de balayage de la tension appliquée. On pense que les tailles de grain moyennes plus grandes aident à réduire l'influence des états de défaut sur une recombinaison de porteurs. La capacité de réglage du PCE avec la température de substrat peut être mise en corrélation avec la qualité de la pérovskite cristalline formée à l'aide de la procédure de moulage à chaud. Les tailles de grain moyennes plus grandes conduisent à une bonne qualité cristalline, à une faible densité de défauts, et à une grande mobilité des porteurs. Le processus de croissance des pérovskites hybrides organiques-inorganiques peut être applicable à la préparation d'autres matériaux pour surmonter les problèmes liés à polydispersité, à la formation de défauts, et à la recombinaison de limites de grains.
Également publié en tant que
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