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1. WO2016104342 - DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ÉTAT D'EXPOSITION

Numéro de publication WO/2016/104342
Date de publication 30.06.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2015/085434
Date du dépôt international 18.12.2015
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
9Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G03F 1/84
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
84Inspecting
G03F 7/70258
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70258Projection system adjustment, alignment during assembly of projection system
G03F 7/70483
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/7055
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
G03F 7/70558
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Déposants
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 篠田 伸一 SHINODA Shinichi
  • 豊田 康隆 TOYODA Yasutaka
  • 牛場 郭介 USHIBA Hiroyuki
  • 菅原 仁志 SUGAHARA Hitoshi
Mandataires
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
Données relatives à la priorité
2014-26380526.12.2014JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EXPOSURE CONDITION EVALUATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ÉTAT D'EXPOSITION
(JA) 露光条件評価装置
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an exposure condition evaluation device that appropriately evaluates a wafer exposure condition or calculates an appropriate exposure condition, on the basis of information obtained from an FEM wafer, without relying on the formation state of the FEM wafer. In order to achieve the foregoing, the present invention proposes an exposure condition evaluation device which evaluates an exposure condition of a reduction projection exposure device, on the basis of the information of patterns exposed on a sample by the reduction projection exposure device, and which uses a second feature amount of a plurality of patterns formed by making the exposure conditions uniform to correct a first feature amount of a plurality of patterns formed by a plurality of different exposure condition settings.
(FR)
L'objectif de la présente invention est de fournir un dispositif d'évaluation d'état d'exposition qui évalue de façon appropriée un état d'exposition de tranche ou calcule un état d'exposition approprié, sur la base d'informations obtenues à partir d'une tranche FEM, sans se reposer sur l'état de formation de la tranche FEM. Afin d'obtenir ce qui précède, la présente invention concerne un dispositif d'évaluation d'état d'exposition qui évalue un état d'exposition d'un dispositif d'exposition à projection de réduction, sur la base des informations de motifs exposés sur un échantillon par le dispositif d'exposition à projection de réduction, et qui utilise une seconde quantité caractéristique d'une pluralité de motifs formés en rendant les états d'exposition uniformes pour corriger une première quantité caractéristique d'une pluralité de motifs formés par une pluralité de différents réglages d'états d'exposition.
(JA)
本発明は、FEMウエハの形成状態に依らず、FEMウエハから得られる情報に基づいて、適正にウエハの露光条件を評価、或いは適正な露光条件を算出することを露光条件評価装置の提供を目的とする。本発明では、上記目的を達成するために、縮小投影露光装置によって試料上に露光されたパターン情報に基づいて、縮小投影露光装置の露光条件を評価する演露光条件評価装置であって、複数の異なる露光条件の設定によって形成された複数のパターンの第1の特徴量を、露光条件を一律にすることによって形成された複数のパターンの第2の特徴量を用いて補正する露光条件評価装置を提案する。
Également publié en tant que
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