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1. WO2016103397 - PROCÉDÉ DE RÉGÉNÉRATION DE SUSPENSION CMP ET DISPOSITIF DE RÉGÉNÉRATION

Numéro de publication WO/2016/103397
Date de publication 30.06.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2014/084313
Date du dépôt international 25.12.2014
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • エムティアール株式会社 MTR INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 水田 隆司 MIZUTA, Takashi
  • 田中 隆 TANAKA, Takashi
  • 松尾 喬 MATSUO, Takashi
  • 岡本 靖 OKAMOTO, Yasushi
  • ▲高▼橋 満雄 TAKAHASHI, Mitsuo
Mandataires
  • 和気 操 WAKI, Misao
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CMP SLURRY REGENERATION METHOD AND REGENERATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGÉNÉRATION DE SUSPENSION CMP ET DISPOSITIF DE RÉGÉNÉRATION
(JA) CMPスラリー再生方法および再生装置
Abrégé
(EN)
Provided are a method for regenerating CMP slurry efficiently and continuously while maintaining the quality of the slurry without causing clogging of a filtration membrane, and a regeneration device. The CMP slurry regeneration method includes: a liquid storing step (2) for storing a used CMP slurry (1) in a concentration tank; a concentrating step (4) for, with usage of a concentrating device that includes an inflow port from which the stored slurry flows in, an outflow port from which the concentrated slurry flows out, and a discharge port from which permeated liquid (8) that is filtered through a filtration membrane provided in a side wall of a slurry circulating path extending from the inflow port to the outflow port is discharged, concentrating the used CMP slurry by causing the used CMP slurry to flow in the inflow port and flow out from the outflow port while the permeated liquid is discharged, and repeating circulation for returning an outflow liquid flown out from the outflow port to the concentration tank; a reverse operation step (5) for stopping the circulation in the middle of the circulation and causing the used CMP slurry to flow in from the outflow port and flow out from the inflow port; and the like.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de régénération d'une suspension de polissage mécano-chimique (CMP) d'une manière efficace et continue tout en maintenant la qualité de la suspension sans provoquer un colmatage d'une membrane de filtration, et sur un dispositif de régénération. Le procédé de régénération de suspension CMP comprend : une étape de stockage de liquide (2) consistant à stocker une suspension CMP usée (1) dans un réservoir de concentration; une étape de concentration (4) consistant, à l'aide d'un dispositif de concentration qui comprend un orifice d'entrée par lequel rentre la suspension stockée, un orifice de sortie par lequel sort la suspension concentrée, et un orifice d'évacuation par lequel est évacué du liquide filtré (8) qui a filtré à travers une membrane de filtration disposée dans une paroi latérale d'un chemin de circulation de suspension s'étendant de l'orifice d'entrée à l'orifice de sortie, à concentrer la suspension CMP usée par le fait d'amener la suspension CMP usée à rentrer par l'orifice d'entrée et à sortir par l'orifice de sortie pendant que le liquide filtré est évacué, et à répéter la circulation pour renvoyer un liquide de sortie qui est sorti par l'orifice de sortie vers le réservoir de concentration; une étape d'opération inverse (5) consistant à arrêter la circulation au cours de la circulation et à amener la suspension CMP usée à rentrer par l'orifice de sortie et à sortir par l'orifice d'entrée; et autres.
(JA)
濾過膜が目詰まりを起こすことなく、スラリーの品質を維持しながら効率的に連続してCMPスラリーを再生する方法および再生装置を提供する。使用済CMPスラリー(1)を濃縮タンクに貯液する貯液工程(2)、この貯液されたスラリーが流入する流入口、該スラリーが濃縮されて流出する流出口、および流入口から流出口に至るスラリー流通経路の側壁に設けられた濾過膜を介して濾別された透過液(8)が排出する排出口を有する濃縮装置を用いて、使用済CMPスラリーを流入口に流入させ透過液を排出しながら流出口より流出させ、この流出口より流出した流出液を濃縮タンクに戻す循環を繰り返すことにより、使用済CMPスラリーを濃縮する濃縮工程(4)、これに加えて循環の途中に、該循環を停止して、使用済CMPスラリーを流出口より流入させて流入口より流出させる逆転運転工程(5)などを有するCMPスラリー再生方法。
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