Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2016095794 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS LUMINEUX

Numéro de publication WO/2016/095794
Date de publication 23.06.2016
N° de la demande internationale PCT/CN2015/097359
Date du dépôt international 15.12.2015
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • 厦门市三安光电科技有限公司 XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李政鸿 LEE, Cheng-Hung
  • 周圣伟 CHOU, Sheng-Wei
  • 林继宏 LIN, Chi-Hung
  • 林兓兓 LING, Chan-Chan
  • 张家宏 CHANG, Chia-Hung
Données relatives à la priorité
201410780653.617.12.2014CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) LUMINOUS ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS LUMINEUX
(ZH) 一种发光元件的制备方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a luminous element manufacturing method, the method comprising: growing gallium nitride (GaN) on a panel or a patterned substrate of plated AlN; and a conducting annealing treatment in an H2 ambience or a combined thermal treatment in an H2 and NH3 ambience to amend the problem of inter-material stress, thus improving warpage of an epitaxial wafer due to the stress, and increasing epitaxial quality of the luminous element and luminous efficiency thereof.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de corps lumineux, le procédé consistant à : réaliser la croissance de nitrure de gallium (GaN) sur un panneau ou un substrat à motifs d'AlN plaqué; et réaliser un traitement de recuit conducteur dans une ambiance H2 ou un traitement thermique combiné dans une ambiance H2 et NH3 pour corriger le problème de contrainte inter-matériau, ce qui permet d'améliorer le gauchissement d'une tranche épitaxiale en raison de la contrainte, et d'augmenter la qualité épitaxiale du corps lumineux et son efficacité lumineuse.
(ZH)
提出了一种发光元件的制备方法,生长氮化镓于已镀制AlN的平片或图形衬底上,再进行H2氛围退火处理或H2氛围与NH3氛围组合式热处理藉此改变材料间应力的问题,进而改善此应力所造成的外延片翘曲,提高发光元件的外延质量,提升发光元件的发光效率。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international