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1. WO2016091757 - CAPTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ

Numéro de publication WO/2016/091757
Date de publication 16.06.2016
N° de la demande internationale PCT/EP2015/078704
Date du dépôt international 04.12.2015
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 2224/11
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
11Manufacturing methods
H01L 27/1443
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1443with at least one potential jump or surface barrier
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14636
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14636Interconnect structures
H01L 27/14685
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14685Process for coatings or optical elements
Déposants
  • AMS AG [AT]/[AT]
Inventeurs
  • ENICHLMAIR, Hubert
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
14196808.108.12.2014EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED OPTICAL SENSOR AND METHOD OF PRODUCING AN INTEGRATED OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ
Abrégé
(EN)
An integrated optical sensor comprises a semiconductor substrate (1), an integrated circuit (2), a dielectric layer (6), a wiring (4), a structured filter layer (7) and a diffuser (10). The semiconductor substrate (1) has a main surface (11) and the integrated circuit (2) is arranged in the substrate (1) at or near the main surface (11). Furthermore, the integrated circuit (2) comprises at least one light sensitive component (3). The dielectric layer (6) comprises at least one compound of the semiconductor material. The dielectric layer (6) is arranged on or above the main surface (11). The wiring (4) is arranged in the dielectric layer (6) and provides an electrical connection to the integrated circuit (2), i.e. the wiring is connected to the integrated circuit (2). The structured filter layer (7) is arranged on the dielectric layer (6) and faces the at least one light sensitive component (3), i.e. the diffusor (10) is positioned over the structured filter layer (7). In particular, the structured filter layer (7) is adapted for diffused incident light. The diffuser (10) is arranged on the structured filter layer (7).
(FR)
La présente invention porte sur un capteur optique intégré qui comprend un substrat semi-conducteur (1), un circuit intégré (2), une couche diélectrique (6), un câblage (4), une couche de filtre structurée (7) et un diffuseur (10). Le substrat semi-conducteur (1) présente une surface principale (11) et le circuit intégré (2) est disposé dans le substrat (1) au niveau ou à proximité de la surface principale (11). En outre, le circuit intégré (2) comprend au moins un composant photosensible (3). La couche diélectrique (6) comprend au moins un composé du matériau semi-conducteur. La couche diélectrique (6) est disposée sur ou au-dessus de la surface principale (11). Le câblage (4) est disposé dans la couche diélectrique (6) et assure une connexion électrique au circuit intégré (2), c'est-à-dire que le câblage est connecté au circuit intégré (2). La couche de filtre structurée (7) est disposée sur la couche diélectrique (6) et fait face à l'au moins un composant photosensible (3), c'est-à-dire que le diffuseur (10) est positionné au-dessus de la couche de filtre structurée (7). En particulier, la couche de filtre structurée (7) est adaptée à une lumière incidente diffuse. Le diffuseur (10) est disposé sur la couche de filtre structurée (7).
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