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1. WO2016089474 - EFFACEMENT DE BLOC PARTIEL POUR RAFRAÎCHISSEMENT DE DONNÉES

Numéro de publication WO/2016/089474
Date de publication 09.06.2016
N° de la demande internationale PCT/US2015/054459
Date du dépôt international 07.10.2015
CIB
G11C 11/56 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G11C 16/34 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G11C 16/04 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
CPC
G06F 11/1048
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1048using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
G06F 11/1068
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1068in sector programmable memories, e.g. flash disk
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
G11C 16/26
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
Déposants
  • SanDisk Technologies LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • LIANG, Guirong
  • ZHOU, Zhenming
  • HIGASHITANI, Masaaki
Mandataires
  • MAGEN, Burt
Données relatives à la priorité
14/863,58424.09.2015US
62/088,02005.12.2014US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PARTIAL BLOCK ERASE FOR DATA REFRESHING
(FR) EFFACEMENT DE BLOC PARTIEL POUR RAFRAÎCHISSEMENT DE DONNÉES
Abrégé
(EN)
Systems and methods for performing partial block erase operations on a subset of word lines within a memory array prior to performing data refreshing or open-block programming are described. In some cases, data stored in memory cells connected to a word line with a fail bit count above an error threshold (e.g., more than two bit errors per page or more than three bit errors per word line) may be refreshed by performing a read operation on the memory cells, generating corrected data for the memory cells, performing a partial block erase operation on one or more word lines including the word line, and then writing the corrected data into the memory cells. The one or more word lines may include the word line with the fail bit count above the error threshold and an adjacent word line that is adjacent to the word line.
(FR)
La présente invention se rapporte à des systèmes et des procédés qui permettent d'accomplir des opérations d'effacement de bloc partiel sur un sous-ensemble de lignes de mots dans une matrice mémoire avant la réalisation d'un rafraîchissement de données ou d'une programmation en blocs ouverts. Dans certains cas, les données mémorisées dans des cellules de mémoire connectées à une ligne de mots ayant un comptage des bits défaillants supérieur à un seuil d'erreur (par exemple plus de deux erreurs sur les bits par page ou plus de trois erreurs sur les bits par ligne de mots) peuvent être rafraîchies grâce à l'exécution d'une opération de lecture sur lesdites cellules de mémoire, à la génération de données corrigées pour ces cellules de mémoire, à l'exécution d'une opération d'effacement de bloc partiel sur une ou plusieurs lignes de mots incluant la ligne de mots, puis à l'écriture des données corrigées dans les cellules de mémoire. Ladite ou lesdites lignes de mots peuvent comprendre la ligne de mots ayant un comptage des bits défaillants supérieur au seuil d'erreur, et une ligne de mots adjacente qui se trouve à proximité de la ligne de mots.
Également publié en tant que
CN201580047787.X
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