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1. WO2016087542 - COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2016/087542
Date de publication 09.06.2016
N° de la demande internationale PCT/EP2015/078403
Date du dépôt international 02.12.2015
CIB
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
60Éléments réfléchissants
CPC
H01L 25/167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
167comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
08with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
H01L 33/60
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
60Reflective elements
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • GÖÖTZ, Britta
  • WEGLEITER, Walter
  • GRÖTSCH, Stefan
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2014 117 902.104.12.2014DE
10 2015 103 055.103.03.2015DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
Es ist ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, das einen Halbleiterchip (1) mit einer Hauptseite (10) aufweist, wobei die Hauptseite (10) eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Emissionsfeldern (11) umfasst. Die Emissionsfelder (11) sind einzeln und unabhängig voneinander ansteuerbar und über sie wird im Betrieb jeweils Strahlung aus dem Halbleiterchip (1) ausgekoppelt. Auf die Hauptseite (10) sind reflektierende Trennwände (20) aufgebracht, die zwischen benachbarten Emissionsfeldern (11) angeordnet sind und die Emissionsfelder (11) in Draufsicht auf die Hauptseite (10) zumindest teilweise umgeben. Ferner ist auf die Hauptseite (10) ein Konversionselement (4) mit einer dem Halbleiterchip (1) zugewandten Unterseite (41) und einer abgewandten Oberseite (42) aufgebracht. Die Trennwände (20) sind aus einem von dem Halbleitermaterial des Halbleiterchips (1) unterschiedlichen Material gebildet und überragen den Halbleiterchip (1) in Richtung weg von der Hauptseite (10). Das Konversionselement (4) überdeckt zumindest ein Emissionsfeld (11) zumindest teilweise und ist mit diesem Emissionsfeld (11) mechanisch stabil verbunden. Die Unterseite (41) des Konversionselements (4) im Bereich des überdeckten Emissionsfeldes (11) überragt die Trennwände (20) in eine Richtung weg von der Hauptseite (10) um höchstens 10 % der Höhe der Trennwände (20).
(EN)
An optoelectronic semiconductor component (100) is specified that has a semiconductor chip (1) having a main side (10), the main side (10) comprising a plurality of emission fields (11) that are arranged next to one another. The emission fields (11) are individually and independently actuatable and, during operation, they are each used to couple radiation out of the semiconductor chip (1). The main side (10) has reflective partitions (20) mounted on it that are arranged between adjacent emission fields (11) and at least partially surround the emission fields (11) in a plan view of the main side (10). In addition, the main side (10) has a conversion element (4) mounted on it, having an underside (41), which faces the semiconductor chip (1), and an averted top (42). The partitions (20) are formed from a different material from the semiconductor material of the semiconductor chip (1) and jut out from the semiconductor chip (1) in a direction away from the main side (10). The conversion element (4) covers at least one emission field (11) at least partially and is connected to said emission field (11) in a mechanically robust fashion. The underside (41) of the conversion element (4) in the region of the covered emission field (11) juts out from the partitions (20) in a direction away from the main side (10) by no more than 10% of the height of the partitions (20).
(FR)
L’invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (100) qui comprend une puce semi-conductrice (1) pourvue d’un côté principal (10), le côté principal (10) comportant une pluralité de zones d'émission (11) juxtaposées. Les zones d'émission (11) sont commandables individuellement et indépendamment l'une de l'autre et permettent chacune de découpler un rayonnement provenant de la puce semi-conductrice (1) pendant le fonctionnement. Sur le côté principal (10) sont montées des parois de séparation réfléchissantes (20) qui sont disposées entre des zones d'émission (11) adjacentes et qui entourent au moins partiellement les zones d'émission (11) en vue de dessus du côté principal (10). En outre, un élément de conversion (4), pourvu d’un côté inférieur (41) tourné vers la puce semi-conductrice (1) et d’un côté supérieur (42) opposé, est monté sur le côté principal (10). Les parois de séparation (20) sont formées partir d'une matière différente de la matière semi-conductrice de la puce semi-conductrice et font saillie de la puce semi-conductrice (1) dans la direction opposée au côté principal (10). L'élément de conversion (4) recouvre au moins une zone d'émission (11) au moins partiellement et est relié de manière mécaniquement stable à cette zone d'émission (11). Le côté inférieur (41) de l'élément de conversion (4) au niveau de la zone d'émission (11) recouverte fait saillie des parois de séparation (20) dans une direction opposée au côté principal (10) au maximum de 10% de la hauteur des parois de séparation (20).
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