WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016048682) DISPOSITIF À MÉMOIRE VERTICAL À ENTREFER DE LIGNE BINAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/048682    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/049597
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 11.09.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : RABKIN, Peter; (US).
XIA, Jilin; (US).
PACHAMUTHU, Jayavel; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US)
Données relatives à la priorité :
14/498,033 26.09.2014 US
Titre (EN) VERTICAL MEMORY DEVICE WITH BIT LINE AIR GAP
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE VERTICAL À ENTREFER DE LIGNE BINAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A structure includes a three-dimensional semiconductor device including a plurality of unit device structures located over a substrate. Each of the unit device structures includes a semiconductor channel including at least a portion extending vertically along a direction perpendicular to a top surface of the substrate, and a drain region contacting a top end of the semiconductor channel. The structure also includes a combination of a plurality of contact pillars and a contiguous volume that laterally surrounds the plurality of contact pillars. The plurality of contact pillars is in contact with the drain regions, and the contiguous volume has a dielectric constant less than 3.9.
(FR)La présente invention concerne une structure qui comprend un dispositif à semi-conducteur tridimensionnel qui comprend une pluralité de structures de dispositif unitaires situées sur un substrat. Chacune des structures de dispositif unitaires comprend un canal à semi-conducteur qui comprend au moins une partie qui s'étend verticalement le long d'une direction perpendiculaire à une surface supérieure du substrat, et une région de drain qui entre en contact avec une extrémité supérieure du canal à semi-conducteur. La structure comprend également une combinaison d'une pluralité de piliers de contact et d'un volume contigu qui entoure latéralement la pluralité de piliers de contact. La pluralité de piliers de contact est en contact avec les régions de drain, et le volume contigu possède une constante diélectrique inférieure à 3,9.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)