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1. (WO2016048449) DÉTECTION D'ARCS DE PLASMA PAR SURVEILLANCE DE PUISSANCE RÉFLÉCHIE (RADIOFRÉQUENCE) RF DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/048449    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/042742
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 29.07.2015
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : CHEN, Jian J.; (US).
SUDHAKARAN, Shilpa; (US).
AYOUB, Mohamad A.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
14/496,093 25.09.2014 US
Titre (EN) DETECTING PLASMA ARCS BY MONITORING RF REFLECTED POWER IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) DÉTECTION D'ARCS DE PLASMA PAR SURVEILLANCE DE PUISSANCE RÉFLÉCHIE (RADIOFRÉQUENCE) RF DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for detecting unstable plasma in a substrate processing chamber. In one embodiment, the method includes providing a forward power from a power source to the substrate processing chamber through a detection device, splitting the forward power passing through the detection device at a predetermined ratio to obtain a first value of the power to the substrate processing chamber, measuring a reflected power from the substrate processing chamber to obtain a second value of the power from the substrate processing chamber, and directing the power source to turn off the forward power if the second value of the power is different than the first value of the power.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent d'une manière générale des procédés de détection de plasma instable dans une chambre de traitement de substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la fourniture d'une puissance directe depuis une source de puissance à la chambre de traitement de substrat à travers un dispositif de détection, la division de la puissance directe traversant le dispositif de détection à un rapport prédéterminé pour obtenir une première valeur de la puissance à la chambre de traitement de substrat, la mesure d'une puissance réfléchie depuis la chambre de traitement de substrat pour obtenir une seconde valeur de la puissance depuis la chambre de traitement de substrat, et la direction de la source de puissance pour éteindre la puissance directe si la seconde valeur de la puissance est différente de la première valeur de la puissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)