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1. (WO2016048376) COUCHE DE GERME AMORPHE POUR STABILITÉ AMÉLIORÉE DANS UN EMPILEMENT DE MÉMOIRES À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) PERPENDICULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/048376    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/057865
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 26.09.2014
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DOCZY, Mark L.; (US).
OGUZ, Kaan; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
KUO, Charles C.; (US).
CHAU, Robert S.; (US).
SURI, Satyarth; (US)
Mandataire : BABBITT, William Thomas; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AMORPHOUS SEED LAYER FOR IMPROVED STABILITY IN PERPENDICULAR STTM STACK
(FR) COUCHE DE GERME AMORPHE POUR STABILITÉ AMÉLIORÉE DANS UN EMPILEMENT DE MÉMOIRES À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) PERPENDICULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A material layer stack for a magnetic tunneling junction, the material layer stack including a fixed magnetic layer; a dielectric layer; a free magnetic layer; and an amorphous electrically-conductive seed layer, wherein the fixed magnetic layer is disposed between the dielectric layer and the seed layer. A non-volatile memory device including a material stack including an amorphous electrically-conductive seed layer; and a fixed magnetic layer juxtaposed and in contact with the seed layer. A method including forming an amorphous seed layer on a first electrode of a memory device; forming a material layer stack on the amorphous seed layer, the material stack including a dielectric layer disposed between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, wherein the fixed magnetic layer.
(FR)L'invention porte sur un empilement de couches de matériau pour une jonction à effet tunnel magnétique, lequel empilement de couches de matériau comprend une couche magnétique fixe ; une couche diélectrique ; une couche magnétique ; et une couche de germe électriquement conductrice amorphe, la couche magnétique fixe étant disposée entre la couche diélectrique et la couche de germe. L'invention porte également sur un dispositif de mémoire rémanente, lequel dispositif comprend un empilement de matériaux comprenant une couche de germe électriquement conductrice amorphe ; et une couche magnétique fixe juxtaposée à la couche de germe et en contact avec cette dernière. L'invention porte également sur un procédé, lequel procédé met en œuvre la formation d'une couche de germe amorphe sur une première électrode d'un dispositif de mémoire ; la formation d'un empilement de couches de matériau sur la couche de germe amorphe, la couche de matériau comprenant une couche diélectrique disposée entre une couche magnétique fixe et une couche magnétique libre, la couche magnétique fixe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)