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1. (WO2016047736) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PENTACHLORODISILANE ET PENTACHLORODISILANE AINSI PRODUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/047736    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/077055
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
C01B 33/107 (2006.01)
Déposants : DENKA COMPANY LIMITED [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338 (JP).
L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 Quai d'Orsay 75321 Paris Cedex 07 (FR)
Inventeurs : YASHIMA Hiroyuki; (JP).
KOZUKA Takahiro; (JP).
TERASAKI Seiichi; (JP).
GIRARD Jean-Marc; (JP)
Mandataire : SONODA & KOBAYASHI INTELLECTUAL PROPERTY LAW; 34th Floor, Shinjuku Mitsui Building, 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630434 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-194723 25.09.2014 JP
Titre (EN) PENTACHLORODISILANE PRODUCTION METHOD AND PENTACHLORODISILANE PRODUCED BY SAME
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PENTACHLORODISILANE ET PENTACHLORODISILANE AINSI PRODUIT
(JA) ペンタクロロジシランの製造方法並びに該方法により製造されるペンタクロロジシラン
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a novel production method for pentachlorodisilane and to obtain pentachlorodisilane having a purity of 90 mass% or more by carrying out this production method. [Solution] A production method provided with: a high-temperature reaction step in which a raw material gas containing vaporized tetrachlorosilane and hydrogen is reacted at a high temperature in order to obtain a reaction product gas containing trichlorosilane; a pentachlorodisilane generation step in which the reaction product gas obtained in the high-temperature reaction step is brought into contact with a cooling liquid obtained by circulative cooling of a condensate that is generated by cooling the reaction product gas, the reaction product gas is quickly cooled, and pentachlorodisilane is generated within the condensate; and a recovery step in which the generated pentachlorodisilane is recovered.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir un nouveau procédé de production d'un pentachlorodisilane et d'obtenir un pentachlorodisilane ayant une pureté supérieure ou égale à 90 % en masse par la mise en œuvre de ce procédé de production. La solution selon l'invention porte sur un procédé de production comprenant : une étape de réaction à haute température dans laquelle une matière première gazeuse contenant un tétrachlorosilane en phase vapeur et de l'hydrogène est mise en réaction à une température élevée afin d'obtenir un produit de réaction gazeux contenant un trichlorosilane; une étape de production de pentachlorodisilane dans laquelle ledit produit de réaction gazeux obtenu dans l'étape de réaction à haute température est mis en contact avec un liquide de refroidissement obtenu par refroidissement par circulation d'un condensat qui est produit par le refroidissement du produit de réaction gazeux, ledit produit de réaction gazeux est refroidi rapidement, et un pentachlorodisilane est produit dans le condensat; et une étape de récupération dans laquelle est récupéré ledit pentachlorodisilane produit.
(JA)【課題】ペンタクロロジシラの新規な製造方法を提供し、該製造方法の実施により純度が90質量%以上のペンタクロロジシランを得る。 【解決手段】 気化させたテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを高温で反応させて、トリクロロシランを含む反応生成ガスを得る高温反応工程と、高温反応工程において得られた反応生成ガスを、該反応生成ガスの冷却により生じる凝集液を循環冷却させて得られる冷却液と接触させて急冷し、ペンタクロロジシランを凝集液中に生成させるペンタクロロジシラン生成工程と、生成されたペンタクロロジシランを回収する回収工程とを具備する製造方法とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)