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1. (WO2016047572) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN TITANE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/047572    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/076616
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 18.09.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.03.2016    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : TSUKAMOTO Shiro; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-195327 25.09.2014 JP
Titre (EN) TITANIUM SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN TITANE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER
(JA) チタン製スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Conventional concave (recessed) titanium sputtering targets are manufactured by grinding down a titanium rolled sheet, but poor film thickness uniformity during deposition by sputtering was a problem since the crystalline orientation of a flat surface part and a tapered part differ greatly. The invention of the present application provides a titanium sputtering target with excellent characteristics that is processed into a concave shape (recessed shape) using a press (forge), instead of grinding down a titanium rolled sheet, and by doing so the difference in the crystalline orientation between the flat surface part and the tapered part is reduced. By doing so, the present invention makes it possible to form a thin film with excellent homogeneity (uniformity) without changing conventional sputtering characteristics, and also has the beneficial effect of enabling the increase of yield and reliability of semiconductor products for which miniaturization and high integration are advancing.
(FR)Les cibles de pulvérisation en titane concaves (évidées) classiques sont fabriquées par meulage d'une feuille laminée de titane, mais la médiocre uniformité de l'épaisseur du film pendant le dépôt par pulvérisation cathodique constituait un problème car l'orientation cristalline d'une partie de surface plate et celle d'une partie conique diffèrent considérablement. La présente invention concerne une cible de pulvérisation en présentant d'excellentes caractéristiques, qui est traitée pour obtenir une forme concave (forme évidée) au moyen d'une presse (forge), au lieu du meulage d'une feuille laminée de titane, et ainsi, la différence d'orientation cristalline entre la partie de surface plate et la partie conique est réduite. De cette manière, la présente invention permet de former un film mince avec une excellente homogénéité (uniformité) sans changer les caractéristiques de pulvérisation cathodique classique, et a également l'effet bénéfique de permettre l'augmentation du rendement et de la fiabilité de produits semi-conducteurs dont la miniaturisation et l'intégration élevée progressent.
(JA)従来のコンケーブ形状(凹形状)のチタン製スパッタリングターゲットは、チタン製の圧延板を削り出しで作製しており、平面部とテーパー部で結晶配向が大きく異なるため、スパッタリングによる成膜の際に、膜厚のユニフォーミティが悪いという問題があった。本願発明は、チタン製の圧延板を削り出しに替えて、プレス(鍛造)により、コンケーブ形状(凹形状)に加工し、これによって平面部とテーパー部で結晶配向の差を低減させ、特性に優れたチタン製スパッタリングターゲットを提供するものである。これによって、従来のスパッタ特性を変えることがなく、均一性(ユニフォーミティ)に優れた薄膜を形成することを可能にし、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)