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1. (WO2016047438) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2016/047438    International Application No.:    PCT/JP2015/075551
Publication Date: 31 mars 2016 International Filing Date: 9 sept. 2015
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/739
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: FUKUI Yutaka
福井 裕
KAGAWA Yasuhiro
香川 泰宏
TAGUCHI Kensuke
田口 健介
FUJIWARA Nobuo
藤原 伸夫
SUGAWARA Katsutoshi
菅原 勝俊
TANAKA Rina
田中 梨菜
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L'invention concerne l'amélioration de la fiabilité d'un film isolant au niveau de sections de coins d'une extrémité d'ouverture de tranchée externe dans un dispositif à semi-conducteurs du type à grille en tranchée doté d'une tranchée externe. Le dispositif à semi-conducteurs de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend : une tranchée (6) de grille qui s'étend jusqu'à l'intérieur d'une couche (3) de dérive de type n dans une région (30) de cellule ; une tranchée externe (6a) formée sur le côté extérieur de la région de cellule ; une électrode (8) de grille formée à l'intérieur de la tranchée (6) de grille par l'intermédiaire d'un film isolant (7) de grille ; un câblage (20) de grille formé à l'intérieur de la tranchée externe (6a) par le biais d'un film isolant (22) ; et une section (14) de sortie de câblage de grille, qui est formée par le biais du film isolant (22) afin de recouvrir les sections de coins d'une extrémité d'ouverture de la tranchée externe (6a), ladite extrémité d'ouverture se trouvant sur le côté de la région de cellule et connectant électriquement l'électrode (8) de grille et le câblage de grille l'un à l'autre. Le dispositif à semi-conducteurs est également caractérisé en ce qu'une seconde région d'impuretés formée sur une couche de surface de la couche de dérive, en contact avec les sections de coins, est de type p, ladite seconde région d'impuretés faisant partie de la région de cellule.