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1. (WO2016043959) SCHÉMA DE DÉTECTION DÉPENDANT DE LA TEMPÉRATURE POUR S'OPPOSER À UN ÉLARGISSEMENT DE RÉPARTITION DE TENSION DE SEUIL DE TEMPÉRATURE CROISÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/043959    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/047627
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 30.08.2015
CIB :
G11C 7/04 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : SanDisk Technologies LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : RAY, Biswajit; (US).
DOGAN, Abuzer; (US).
CHEN, Changyuan; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
62/052,473 19.09.2014 US
14/574,110 17.12.2014 US
Titre (EN) TEMPERATURE DEPENDENT SENSING SCHEME TO COUNTERACT CROSS-TEMPERATURE THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION WIDENING
(FR) SCHÉMA DE DÉTECTION DÉPENDANT DE LA TEMPÉRATURE POUR S'OPPOSER À UN ÉLARGISSEMENT DE RÉPARTITION DE TENSION DE SEUIL DE TEMPÉRATURE CROISÉE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for reducing cross-temperature threshold voltage distribution widening by applying a temperature dependent sensing scheme during read operations are described. In some embodiments, during a read operation, the sensing conditions applied to memory cells within a memory array may be set and/or adjusted based on a temperature of the memory cells during the read operation, a previous temperature of the memory cells when the memory cells were programmed, and the programmed states of neighboring memory cells. In some cases, the sensing time for sensing a memory cell of a NAND string and the source voltage applied to a source line connected to the NAND string may be set based on the temperature of the memory cells during sensing and the previous temperature of the memory cells when the memory cells were programmed.
(FR)La présente invention porte sur des procédés destinés à réduire un élargissement de répartition de tension de seuil de température croisée par application d'un schéma de détection dépendant de la température au cours d'opérations de lecture. Selon certains modes de réalisation, au cours d'une opération de lecture, les conditions de détection appliquées à des cellules de mémoire à l'intérieur d'un réseau de mémoires peuvent être réglées et/ou actualisées sur la base d'une température des cellules de mémoire pendant l'opération de lecture, d'une température précédente des cellules de mémoire lorsque les cellules de mémoire ont été programmées, et des états programmés de cellules de mémoire voisines. Dans certains cas, le temps de détection pour la détection d'une cellule de mémoire d'une chaîne NON-ET et la tension de source appliquée à une ligne de source connectée à la chaîne NON-ET peuvent être réglés sur la base de la température des cellules de mémoire pendant la détection et de la température précédente des cellules de mémoire lorsque les cellules de mémoire ont été programmées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)