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1. (WO2016043857) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE INTÉGRÉ AVEC SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/043857    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/043429
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 03.08.2015
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : SU, Chien-sheng; (US).
TRAN, Hieu, Van; (US).
TADAYONI, Mandana; (US).
DO, Nhan; (US).
YANG, Jeng-wei; (TW)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/491,596 19.09.2014 US
Titre (EN) METHOD OF MAKING EMBEDDED MEMORY DEVICE WITH SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE INTÉGRÉ AVEC SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor device starts with a substrate of silicon, a first insulation layer on the silicon, and a silicon layer on the first insulation layer. The silicon layer and the insulation layer are removed just from a second substrate area. A second insulation layer is formed over the silicon layer in the substrate first area and over the silicon in the second substrate area. A first plurality of trenches is formed in the first substrate area that each extends through all the layers and into the silicon. A second plurality of trenches is formed in the second substrate area that each extends through the second insulation layer and into the silicon. An insulation material is formed in the first and second trenches. Logic devices are formed in the first substrate area, and memory cells are formed in the second substrate area.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semiconducteur qui commence avec un substrat de silicium, une première couche isolante sur le silicium, et une couche de silicium sur la première couche isolante. La couche de silicium et la couche isolante sont enlevées juste à partir d'une seconde surface de substrat. Une seconde couche isolante est formée au-dessus de la couche de silicium dans la première surface de substrat et au-dessus du silicium dans la seconde surface de substrat. Une première pluralité de tranchées sont formées dans la première surface de substrat, chacune s'étendant à travers toutes les couches et dans le silicium. Une seconde pluralité de tranchées sont formées dans la seconde surface de substrat, chacune s'étendant à travers la seconde couche isolante et dans le silicium. Un matériau isolant est formé dans les premières et secondes tranchées. Des dispositifs logiques sont formés dans la première surface de substrat, et des cellules de mémoire sont formées dans la seconde surface de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)