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1. (WO2016043163) PROCÉDÉ DE CULTURE DE MICRO-ORGANISMES ET DISPOSITIF ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/043163    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/076043
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 14.09.2015
CIB :
C12N 1/00 (2006.01), C12M 1/00 (2006.01), C12M 1/06 (2006.01), C12N 1/20 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP)
Inventeurs : ISHII Tetsuya; (JP).
SATOU Kanetomo; (JP).
FUJIMORI Yoji; (JP).
HAMACHI Kokoro; (JP).
NISHIYAMA Norihide; (JP)
Mandataire : WATANABE Noboru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-191858 19.09.2014 JP
2014-191859 19.09.2014 JP
Titre (EN) MICROORGANISM CULTURE METHOD AND CULTURE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE CULTURE DE MICRO-ORGANISMES ET DISPOSITIF ASSOCIÉ
(JA) 微生物の培養方法及び培養装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention makes it possible to stably culture gas-assimilating microorganisms regardless of variations in the supply flow rate of a substrate gas. Gas-assimilating microorganisms 3 are cultured in a culture medium 2 in a culture tank 10. A substrate gas including CO, H2 and the like is supplied to the culture tank 10 and is dissolved in the culture medium 2. When the supply flow rate of the substrate gas or a prescribed component thereof to the culture tank 10 reaches a prescribed value or below, the culture medium 2a is rapidly discharged from the culture tank 10.
(FR)Cette invention permet la culture stable de micro-organismes assimilant les gaz indépendamment des variations du débit d'alimentation en substrat gazeux. Les micro-organismes assimilant les gaz 3 sont cultivés dans un milieu de culture 2 dans une cuve de culture 10. La cuve de culture 10 est alimentée en substrat gazeux comprenant du CO, H2 et autre qui se dissout dans le milieu de culture 2. Quand le débit du substrat gazeux ou d'un composant prescrit de celui-ci alimentant la cuve de culture 10 atteint une valeur prescrite ou inférieure, le milieu de culture 2a est rapidement déchargé de la cuve de culture 10.
(JA) ガス資化性微生物を、基質ガスの供給流量の変動に拘わらず、安定的に培養する。培養槽10の培養液2でガス資化性微生物3を培養する。CO及びH等を含む基質ガスを培養槽10に供給して培養液2に溶け込ませる。基質ガス又はその所定成分の培養槽10への供給流量が所定値以下になったときは、培養液2aを培養槽10から急速排出する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)