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1. (WO2016042890) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODÈLE SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/042890    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/069587
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 08.07.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : FUJIKURA Hajime; (JP)
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-188709 17.09.2014 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODÈLE SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体テンプレートの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This nitride semiconductor template manufacturing method involves: a step for growing a buffer layer on a sapphire substrate which has a lattice arrangement of conical or pyramidal protrusions formed on the surface thereof, the thickness of the buffer layer being 11-400nm and greater than the top width of the protrusions; and a step for growing a nitride semiconductor layer on the buffer layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de modèle semi-conducteur de nitrure qui comprend : une étape consistant à faire croître une couche tampon sur un substrat de saphir qui a un agencement en réseau de protubérances pyramidales ou coniques formées sur sa surface, l'épaisseur de la couche tampon étant de 11 à 400 nm et supérieure à la largeur du sommet des protubérances; et une étape consistant à faire croître une couche semi-conductrice de nitrure sur la couche tampon.
(JA) 円錐状又は角錐状の凸部が表面に格子状に配置されて形成されたサファイア基板上に、前記凸部の頂上幅より厚く、且つ11nm以上400nm以下の厚さにバッファ層を成長させて形成する工程と、前記バッファ層上に窒化物半導体層を成長させて形成する工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)