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1. (WO2016042866) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, APPAREIL D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/042866    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067304
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 16.06.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : MORIWAKI Toshiki; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-188216 16.09.2014 JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, APPAREIL D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、固体撮像装置及び電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)An imaging element is provided with a laminated structure 20 which is formed from a first electrode 21, a light reception layer 23 formed on the first electrode 21, and a second electrode 22 formed on the light reception layer 23, wherein, from the light reception layer side, one first buffer layer 24 formed from an amorphous organic material and one second buffer layer 25 formed from an amorphous inorganic material are disposed between the light reception layer 23 and the second electrode 22.
(FR)L'invention concerne un élément d'imagerie qui est pourvu d'une structure stratifiée (20) qui est constituée d'une première électrode (21), d'une couche de réception de lumière (23) formée sur la première électrode (21), et d'une seconde électrode (22) formée sur la couche de réception de lumière (23), une première couche tampon (24) composée d'un matériau organique amorphe et une seconde couche tampon (25) composée d'un matériau inorganique amorphe étant disposées, à partir du côté couche de réception de lumière, entre la couche de réception de lumière (23) et la seconde électrode (22).
(JA)撮像素子は、第1電極21、第1電極21上に形成された受光層23、及び、受光層23上に形成された第2電極22から成る積層構造体20を備えており、受光層23と第2電極22との間には、受光層側から、非晶質の有機材料から成る1層の第1バッファ層24、及び、非晶質の無機材料から成る1層の第2バッファ層25が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)