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1. (WO2016042842) CELLULE À CONTACT ARRIÈRE DE TYPE À HÉTÉROJONCTION ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/042842    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/064473
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 20.05.2015
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/05 (2014.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : HIEDA, Takeshi; .
OKAMOTO, Chikao; .
ASANO, Naoki; .
HIGASHI, Kenichi; .
KAMIKAWA, Takeshi;
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-191275 19.09.2014 JP
Titre (EN) HETERO JUNCTION TYPE BACK CONTACT CELL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) CELLULE À CONTACT ARRIÈRE DE TYPE À HÉTÉROJONCTION ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) ヘテロ接合型バックコンタクトセルおよび光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN)A hetero junction type back contact cell (10) is provided with: a first conductivity-type or second conductivity-type semiconductor substrate (1); a first conductivity-type amorphous semiconductor film (3) and a second conductivity-type amorphous semiconductor film (5), which are provided on one side of the semiconductor substrate (1); a first electrode (11) on the first conductivity-type amorphous semiconductor film (3); and a second electrode (12) on the second conductivity-type amorphous semiconductor film (5). The distance between the centers of the adjacent electrodes closest to each other is 1-3.5 mm, said electrodes having a same polarity.
(FR)La présente invention concerne une cellule à contact arrière de type à hétérojonction (10) pourvue : d'un substrat semi-conducteur de premier type de conductivité ou de second type de conductivité (1); d'un film semi-conducteur amorphe de premier type de conductivité (3) et d'un film semi-conducteur amorphe de second type de conductivité (5), qui sont disposés sur un côté du substrat semi-conducteur (1); d'une première électrode (11) disposée sur le film semi-conducteur amorphe de premier type de conductivité (3); et d'une seconde électrode (12) disposée sur le film semi-conducteur amorphe de second type de conductivité (5). La distance entre les centres des électrodes adjacentes les plus proches les unes des autres est de 1 à 3,5 mm, lesdites électrodes ayant la même polarité.
(JA)ヘテロ接合型バックコンタクトセル(10)は、第1導電型または第2導電型の半導体基板(1)と、半導体基板(1)の一方の側に設けられた第1導電型非晶質半導体膜(3)と第2導電型非晶質半導体膜(5)と、第1導電型非晶質半導体膜(3)上の第1電極(11)と、第2導電型非晶質半導体膜(5)上の第2電極(12)とを備えている。隣り合う直近の同極性の電極同士の中心間距離が1mm以上3.5mm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)