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1. (WO2016042115) DISPOSITIF SEMI-PHOTOVOLTAÏQUE SEMI-TRANSPARENT A CELLULES EN SERIE PAR INTERCONNEXION MONOLITHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/042115    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/071399
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 18.09.2015
CIB :
H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/0463 (2014.01), H01L 31/0468 (2014.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "le Ponant D" F-75015 Paris (FR).
CROSSLUX [FR/FR]; Avenue Georges Vacher Immeuble CCE ZI Rousset Peynier F-13790 Rousset (FR)
Inventeurs : ROUX, Frédéric; (FR).
FAUCHERAND, Pascal; (FR).
LEFILLASTRE, Paul; (FR).
PERRAUD, Simon; (FR).
PONCELET, Olivier; (FR).
THOULON, Pierre-Yves; (FR)
Mandataire : AIVAZIAN, Denis; (FR)
Données relatives à la priorité :
1458874 19.09.2014 FR
Titre (EN) SEMI-TRANSPARENT SEMI-PHOTOVOLTAIC DEVICE COMPRISING CELLS MONOLITHICALLY INTERCONNECTED IN SERIES
(FR) DISPOSITIF SEMI-PHOTOVOLTAÏQUE SEMI-TRANSPARENT A CELLULES EN SERIE PAR INTERCONNEXION MONOLITHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The production of a photovoltaic device comprises: the provision of a substrate that is transparent across all or part of the solar spectrum; the formation, on the substrate, of a stack of thin layers including a first layer forming a rear electrode, a photoabsorptive second layer that absorbs light across the solar spectrum, a third layer (60) forming a front electrode, and a fourth buffer layer between the second and third layers, said stack forming a plurality of adjacent photovoltaic cells on the substrate; the formation of a plurality of holes (70) in each cell, each hole extending through the thickness of the first, second, third and fourth layers (60) so as to open onto the substrate, comprising the use of at least a first lift-off step using a first set of elements of a first resin that are deposited on the substrate prior to the formation of the first layer; and the electrical in-series connection of all or some of the adjacent cells by means of monolithic interconnection, using a second set of elements of a second resin that are deposited on the substrate prior to the formation of the first layer. The invention also relates to a method for the production of the photovoltaic device.
(FR)La fabrication d'un dispositif photovoltaïque comprend la fourniture d'un substrat transparent dans tout ou partie du spectre solaire, la formation, sur le substrat, d'un empilement de couches minces incluant une première couche formant une électrode arrière, une deuxième couche photo-absorbante dans le spectre solaire, une troisième couche (60) formant une électrode avant et une quatrième couche tampon entre les deuxième et troisième couches, cet empilement constituant une pluralité de cellules photovoltaïques adjacentes entre elles sur le substrat, la formation d'une pluralité de trous (70) au sein de chaque cellule et traversant chacun l'épaisseur des première, deuxième, troisième et quatrième couches (60) pour déboucher vers le substrat, comprenant la mise en œuvre d'au moins une première étape de lift-off utilisant un premier ensemble d'éléments d'une première résine déposés sur le substrat préalablement à la formation de ladite première couche, et la mise en série électrique entre elles de tout ou partie desdites cellules adjacentes par interconnexion monolithique utilisant un deuxième ensemble d'éléments d'une deuxième résine déposés sur le substrat préalablement à la formation de ladite première couche. Il est aussi décrit un procédé de fabrication du dispositif photovoltaïque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)