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1. (WO2016040333) TRANSDUCTEUR ULTRASONORE PIÉZOÉLECTRIQUE MICRO-USINÉ (PMUT) INTÉGRÉ (PMUT) SUR CIRCUIT INTÉGRÉ (IC) POUR DÉTECTION D'EMPREINTES DIGITALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/040333    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/048964
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 08.09.2015
CIB :
G06K 9/00 (2006.01), B81B 7/04 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), H03H 3/007 (2006.01)
Déposants : INVENSENSE, INC. [US/US]; 1745 Technology Drive Suite 200 San Jose, California 95110 (US)
Inventeurs : TSAI, Julius Ming-Lin; (US).
DANEMAN, Michael; (US)
Mandataire : JOSHI, Vinay; (US)
Données relatives à la priorité :
14/480,051 08.09.2014 US
62/153,480 27.04.2015 US
14/829,404 18.08.2015 US
Titre (EN) INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROELECTROMECHANICAL ULTRASOUND TRANSDUCER (PMUT) ON INTEGRATED CIRCUIT (IC) FOR FINGERPRINT SENSING
(FR) TRANSDUCTEUR ULTRASONORE PIÉZOÉLECTRIQUE MICRO-USINÉ (PMUT) INTÉGRÉ (PMUT) SUR CIRCUIT INTÉGRÉ (IC) POUR DÉTECTION D'EMPREINTES DIGITALES
Abrégé : front page image
(EN)Microelectromechanical (MEMS) devices and associated methods are disclosed. Piezoelectric MEMS transducers (PMUTs) suitable for integration with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuit (IC), as well as PMUT arrays having high fill factor for fingerprint sensing, are described.
(FR)L'invention concerne des dispositifs micro-électromécanique (MEMS) et des procédés associés. L'invention concerne aussi des transducteurs MEMS piézoélectriques (pMUT) convenant pour être intégrés à un circuit intégré (IC) semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS), ainsi que des réseaux pMUT ayant un facteur de remplissage élevé pour la détection d'empreintes digitales.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)