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1. (WO2016039968) CIRCUITS INTÉGRÉS (IC) FABRIQUÉS EN MILIEU DE LIGNE (MOL) UTILISANT DES INTERCONNEXIONS LOCALES DE LIGNES MÉTALLIQUES À L’AIDE D’UN TROU D'INTERCONNEXION ALLONGÉ ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/039968    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/046518
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 24.08.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.07.2016    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : ZHU, John, Jianhong; (US).
RIM, Kern; (US).
SONG, Stanley, Seungchul; (US).
XU, Jeffrey, Junhao; (US).
YANG, Da; (US)
Mandataire : DAVENPORT, Taylor, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/484,366 12.09.2014 US
Titre (EN) MIDDLE-OF-LINE (MOL) MANUFACTURED INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCAL INTERCONNECTS OF METAL LINES USING AN ELONGATED VIA, AND RELATED METHODS
(FR) CIRCUITS INTÉGRÉS (IC) FABRIQUÉS EN MILIEU DE LIGNE (MOL) UTILISANT DES INTERCONNEXIONS LOCALES DE LIGNES MÉTALLIQUES À L’AIDE D’UN TROU D'INTERCONNEXION ALLONGÉ ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)Middle-of-line (MOL) manufactured integrated circuits (ICs) employing local interconnects of metal lines using an elongated via are disclosed. Related methods are also disclosed. In particular, different metal lines in a metal layer may need to be electrically interconnected during a MOL process for an IC. In this regard, to allow for metal lines to be interconnected without providing such interconnections above the metal lines that may be difficult to provide in a printing process for example, in an exemplary aspect, an elongated or expanded via(s) is provided in a MOL layer in an IC. The elongated via is provided in the MOL layer below the metal layer in the MOL layer and extended across two or more adjacent metal layers in the metal layer of the MOL layer. Moving the interconnections above the MOL layer can simplify the manufacturing of ICs, particularly at low nanometer (nm) node sizes.
(FR)L’invention porte sur des circuits intégrés (IC) fabriqués en milieu de ligne (MOL) utilisant des interconnexions locales de lignes métalliques à l’aide d’un trou d'interconnexion allongé. Des procédés associés sont également décrits. En particulier, des différentes lignes métalliques dans une couche métallique peuvent avoir besoin d’être interconnectées électriquement pendant un processus MOL pour un IC. À cet égard, afin de permettre à des lignes métalliques d’être interconnectées sans utiliser de telles interconnexions au-dessus des lignes métalliques qui peuvent être difficiles à produire dans un processus d’impression par exemple, selon un aspect à titre d’exemple, un ou plusieurs trous d'interconnexion allongés ou étendus sont disposés dans une couche MOL dans un IC. Le trou d'interconnexion allongé est disposé dans la couche MOL sous la couche métallique dans la couche MOL et est étendu à travers au moins deux couches métalliques adjacentes dans la couche métallique de la couche MOL. Un déplacement des interconnexions au-dessus de la couche MOL peut simplifier la fabrication d’IC, en particulier à des tailles de nœud nanométriques (nm) faibles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)