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1. (WO2016039313) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'ÉLECTRIFICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/039313    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/075407
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 08.09.2015
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : MATSUURA Shigeki; (JP).
ISHIHARA Yoshitoshi; (JP).
ATSUMI Akira; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-186555 12.09.2014 JP
Titre (EN) ELECTRIFICATION PROCESSING DEVICE AND ELECTRIFICATION PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'ÉLECTRIFICATION
(JA) 帯電処理装置及び帯電処理方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an electrification processing device C1 that charges an object PO to be processed to a desired potential. The electrification processing device C1 is equipped with: a chassis portion 1 having an electron source portion 3 and a processing portion 20, said electron source portion 3 housing an electron generation source for generating electrons, said processing portion 20 being in communication with the electron source portion 3 and enclosing the object PO to be processed under a predetermined pressure atmosphere containing a charged particle formation gas; and a mesh-shaped electrode portion 40 disposed between the electron source portion 3 and the processing portion 20 so as to partition the electron source portion 3 and the processing portion 20. In the electron source portion 3, an accelerating electric field is formed that accelerates electrons generated in the electron generation source 5 toward the electrode portion 40. The potential of the processing portion 20 and the electrode portion 40 is set as the desired potential.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de traitement d'électrification C1 qui charge un objet PO à traiter à un potentiel désiré. Le dispositif de traitement d'électrification C1 est pourvu : d'une partie cadre 1, ayant une partie source d'électrons 3 et une partie de traitement 20, ladite partie source d'électrons 3 recevant une source de génération d'électrons destinée à générer des électrons, ladite partie de traitement 20 étant en communication avec la partie source d'électrons 3 et entourant l'objet PO à traiter dans une atmosphère de pression prédéterminée contenant un gaz de formation de particules chargées ; d'une partie électrode en forme de treillis 40 disposée entre la partie source d'électrons 3 et la partie de traitement 20 de manière à séparer la partie source d'électrons 3 de la partie de traitement 20. Dans la partie source d'électrons 3, un champ électrique d'accélération est formé, celui-ci accélérant des électrons générés dans la source de génération d'électrons 5 vers la partie électrode 40. Le potentiel de la partie de traitement 20 et de la partie électrode 40 est réglé en tant que potentiel désiré.
(JA) 帯電処理装置C1は、処理対象物POを所望の電位に帯電させる。帯電処理装置C1は、電子を発生させる電子発生源を収容する電子源部3と、電子源部3と連通し、かつ、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下で処理対象物POを包囲する処理部20と、を有する筐体部1と、電子源部3と処理部20とを仕切るように電子源部3と処理部20との間に配置されているメッシュ状の電極部40と、を備えている。電子源部3内には、電子発生源5にて発生した電子を電極部40に向けて加速させる加速電界が形成される。処理部20及び電極部40の電位が、上記所望の電位とされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)