WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016039101) VERRE DE REVÊTEMENT À ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/039101    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/073312
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 20.08.2015
CIB :
C03C 3/066 (2006.01), C03C 8/14 (2006.01), C03C 8/20 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi Shiga 5208639 (JP)
Inventeurs : NISHIKAWA Yoshikatsu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-182838 09.09.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT-COATING GLASS
(FR) VERRE DE REVÊTEMENT À ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子被覆用ガラス
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor element-coating glass which is environmentally friendly and has a large surface charge density. This semiconductor element coating glass comprises, in mass%, 50-62% (excluding 62%) of ZnO, 19-28% of B2O3, 8-15% (excluding 8%) of SiO2, and 3-12% of Al2O3, and substantially not comprising an alkali metal component, lead component, Bi2O3, Sb2O3, and As2O3.
(FR)L'invention concerne un verre de revêtement à élément semi-conducteur qui est écologique et présente une densité de charge de surface élevée. Ce verre de revêtement à élément à semi-conducteur comprend, en % en masse, 50 à 62 % (à l'exclusion de 62 %) de ZnO, 19 à 28 % de B2O3, 8 à 15 % (à l'exclusion de 8 %) de SiO2, et 3 à 12 % d'Al2O3, et ne comprend sensiblement pas de constituant métal alcalin, de constituant du plomb, de Bi2O3, de Sb2O3 et d'As2O3.
(JA) 環境への負担が小さく、かつ表面電荷密度が大きい半導体素子被覆用ガラスを提供する。 質量%で、ZnO 50~62%(ただし62%を含まない)、B 19~28%、SiO 8~15%(ただし8%を含まない)、Al 3~12%を含有し、アルカリ金属成分、鉛成分、Bi、Sb及びAsを実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)