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1. (WO2016039069) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/039069    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/072907
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 13.08.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : HOSHI, Yasuyuki; (JP).
HARADA, Yuichi; (JP).
KINOSHITA, Akimasa; (JP).
OONISHI, Yasuhiko; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-185707 11.09.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having, on a front surface of a N-type semiconductor substrate (1) comprising silicon carbide, an N-type semiconductor layer (2), a P-type first semiconductor area (3), an N-type source area (4), a P-type second semiconductor area (5), a gate insulating film (6), a gate electrode (7), and a source electrode (8). The semiconductor device has a P-type third semiconductor area (311) and a source electrode (312), e.g., in a gate pad lower area (305). The semiconductor device has a drain electrode (9) on the rear surface of the semiconductor substrate (1). The third semiconductor area (311) is electrically connected to the source electrodes (8, 312) and either has a higher impurity concentration than the first semiconductor area (3) or is formed deeper than the first semiconductor area (3). As a result of said configuration, the breakdown resistance of the gate insulating film (6) can be improved and the reliability of the gate insulating film (6) can be increased.
(FR)Le dispositif à semi-conducteurs de l'invention possède, sur une face endroit d'un substrat semi-conducteur (1) de type N fait de carbure de silicium, une couche semi-conductrice (2) de type N, une première région semi-conductrice (3) de type P, une région source (4) de type N, une seconde région semi-conductrice (5) de type P, un film d'isolation de grille (6), une électrode grille (7) et une électrode source (8). Ce dispositif à semi-conducteurs possède une troisième région semi-conductrice (311) de type (P) et une électrode source (312) au niveau par exemple d'une région sous pastille de grille (305). Ce dispositif à semi-conducteurs possède aussi une électrode de drain (9) sur la face envers du substrat semi-conducteur (1). La troisième région semi-conductrice (311) est électriquement connectée aux électrodes source (8, 312), et présente une concentration en impuretés supérieure à celle de la première région semi-conductrice (3) ou est formée plus profondément que la première région semi-conductrice (3). Ainsi, il est possible d'améliorer la robustesse du film d'isolation de grille (6). En outre, il est possible d'améliorer la fiabilité du film d'isolation de grille (6).
(JA) 半導体装置は、炭化珪素でできたN型の半導体基板(1)のおもて面上に、N型の半導体層(2)、P型の第1半導体領域(3)、N型のソース領域(4)、P型の第2半導体領域(5)、ゲート絶縁膜(6)、ゲート電極(7)及びソース電極(8)を有する。半導体装置は、例えばゲートパッド下領域(305)において、P型の第3半導体領域(311)及びソース電極(312)を有する。半導体装置は、半導体基板(1)の裏面にドレイン電極(9)を有する。第3半導体領域(311)は、ソース電極(8,312)に電気的に接続し、第1半導体領域(3)よりも不純物濃度が高いか、または第1半導体領域(3)よりも深く形成されている。このようにすることで、ゲート絶縁膜(6)の破壊耐量を向上させることができる。また、ゲート絶縁膜(6)の信頼性を向上させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)